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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Process-variation-and random-dopants-induced threshold voltage fluctuations in nanoscale CMOS and SOI devices
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2117-2120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage and bulk inversion effects in nonclassical CMOS devices with undoped ultra-thin bodies
    TRIVEDI, Vishal P ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 170-178
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Control of threshold-voltage and short-channel effects in ultrathin strained-SOI CMOS devices
    NUMATA, Toshinori ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 8, S. 1780-1786
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial Germanium on SOI Substrate and Its Application of Fabricating High ION/IOFF Ratio Ge FinFETs
    CHUNG, Cheng-Ting ; CHEN, Che-Wei ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 1878-1883
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved device variability in scaled MOSFETs with deeply retrograde channel profile : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    WOO, Jason ; CHIEN, P. Y ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1090-1095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain and channel engineering for fully depleted SOI MOSFETs towards the 32 nm technology node
    ANDRIEU, F ; WEBER, O ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2047-2053
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Work Function Engineering With Linearly Graded Binary Metal Alloy Gate Electrode for Short-Channel SOI MOSFET
    DEB, Sanjoy ; BASANTA SINGH, N ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 3, S. 472-478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effectiveness of using supply voltage as back-gate bias in ground plane SOI MOSFETs
    KIM, Chris H ; ANANTHAN, Hari ; et al.
    In: 2004 IEEE international SOI conference (Charleston SC, 4-7 October 2004), 2004, S. 69-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Transistor MOS et sa technologie de fabrication / The MOS transistor and its technology of fabrication
    SKOTNICKI, Thomas
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2000), Heft E2430, S. E2430.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; NAGUMO, Tashiharu ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 2 (2003), Heft 4, S. 314-318
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs
    ERNST, Thomas ; RITZENTHALER, Romain ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 1366-1375
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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