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    T43 Characterization and Modeling of 100 nm RF Generic CMOS and 500 nm RF Power CMOS : VLSI technology, systems and applications
    Lin, Y. S. ; Lee, T. H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 105-108
    Konferenz
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    9:45 9B-4 Reliability of HfSiON as Gate Dielectric for Advanced CMOS Technology : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Wang, H. C. H. ; Tsai, C. W. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    17:05 12A-5 Comprehensive Study on Layout Dependence of Soft Errors in CMOS Latch Circuits and Its Scaling Trend for 65 nm Technology Node and Beyond : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Fukui, H. ; Hamaguchi, M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 222-225
    Konferenz
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    11:45 10A-4 Performance Boost of Scaled Si PMOS through Novel SiGe Stressor for HP CMOS : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Chanemougame, D. ; Monfray, S. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 180-183
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    17:05 8A-5 Performance of Super-Critical Strained-Si Directly On Insulator (SC-SSOI) CMOS Based on High-Performance PD-SOI Technology : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Thean, A. V. Y. ; White, T. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 134-137
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    17:05 4A-5 Integration of Dual Metal Gate CMOS with TaSiN (NMOS) and Ru (PMOS) Gate Electrodes on HfO~2 Gate Dielectric : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Zhang, Z. B. ; Song, S. C. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 50-53
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    14:45 3B-4 Scaled 1T-Bulk Devices Built With CMOS 90nm Technology for Low-Cost eDRAM Applications : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Ranica, R. ; Villaret, A. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 38-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    14:45 3A-4 Investigation of CMOS Devices with Embedded SiGe Source/Drain on Hybrid Orientation Substrates : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Ouyang, Q. ; Yang, M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 28-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Leakage in Nanometer Scale CMOS Circuits : VLSI technology, systems and applications
    Mukhopadhyay, S. ; Mahmoodi-Meimand, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 307-312
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 5-GHz CMOS Front-end Circuit with Low Power,Low Noise and Variable Gain for WLAN Applications : VLSI technology, systems and applications
    Lin, M. ; Li, Y. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 280-283
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS RF Amplifier with Tuneable Band-Selection and Image Rejection : VLSI technology, systems and applications
    Thanachayanont, A. ; Sae-Ngow, S.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 284-287
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    C44 Logarithmic CMOS Image Sensor Through Multi-Resolution Analog-To- Digital Conversion : VLSI technology, systems and applications
    Chen, S. F. ; Juang, Y. J. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 227-230
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    C41 Leakage in Nanometer Scale CMOS Circuits (Invited) : VLSI technology, systems and applications
    Mukhopadhyay, S. ; Mahmoodi-Meimand, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 213-218
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    C39 CMOS Design Techniques for 10 Gb/s Optical Transceivers (Invited) : VLSI technology, systems and applications
    Green, M. M.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 209-212
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    T42 A 1.2V Low Leakage Low Cost 90nm CMOS Wireless Technology with a 60nm Transistor Gate Length : VLSI technology, systems and applications
    Yang, S. ; Pollack, G. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 101-104
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    T37 MOS-Bounded Diodes for On-Chip ESD Protection in a 0.15 mu m Shallow-Trench-Isolation Salicided CMOS Process : VLSI technology, systems and applications
    Ker, M. D. ; Lin, K. H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 84-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    T11 Recent Progress in Devices and Materials for CMOS Technology (Invited) : VLSI technology, systems and applications
    Wong, H. S. P. ; Doris, B. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS AND APPLICATIONS, 2003, S. 13-16
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An Ultra-Thin Silicon Nitride Gate Dielectric with Oxygen-Enriched Interface (OI-SiN) for CMOS with EOT of 0.9 nm and Beyond : VLSI technology
    Tsujikawa, S. ; Mine, T. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2002, S. 202-205
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 1.4dB Insertion-Loss, 5GHz Transmit/Receive Switch Utilizing Novel Depletion-Layer-Extended Transistors (DETs) in 0.18mum CMOS Process : VLSI technology
    Ohnakado, T. ; Furukawa, A. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2002, S. 162-165
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Novel Polycrystalline Gate Engineering for High Performance Sub-100 nm CMOS Devices : VLSI technology
    Uejima, K. ; Yamamoto, T. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2002, S. 123-131
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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