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    Voltage Transfer Characteristics of CMOS-Like Inverters for Ambipolar SnO Thin-Film Transistors
    Nomura, Kenji ; Zhang, Yong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), S. 52-55
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    Non-Volatile Wideband Frequency Tuning of a Ring-Oscillator by Charge Trapping in High-k Gate Dielectric in 22nm CMOS
    Iyer, Subramanian S. ; Nouri, Sepideh
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 110-113
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    Demonstration of CMOS Integration With High-Voltage Double-Implanted MOS in 4H-SiC
    Huang, Chih-Fang ; Hung, Jia-Ching ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 78-81
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    High Responsivity Ge Phototransistor in Commercial CMOS Si-Photonics Platform for Monolithic Optoelectronic Receivers
    Cressler, John D. ; Frounchi, Milad ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), S. 196-199
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    Long Exposure Time Noise in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), S. 979-982
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    Monolithic Three-Dimensional 65-nm CMOS-Nanoelectromechanical Reconfigurable Logic for Sub-1.2-V Operation
    Woo Young Choi ; Hyug Su Kwon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-09-01), S. 1317-1320
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    Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies
    Khan, Faraz ; Iyer, Subramanian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017), S. 44-47
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    Single-Resonator Dual-Frequency BEOL-Embedded CMOS-MEMS Oscillator With Low-Power and Ultra-Compact TIA Core
    Torres, Francesc ; Uranga, Arantxa ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-02-01), S. 273-276
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    High-Voltage Generation in CMOS Photovoltaic Devices by Localized Substrate Removal
    Su, Hsiu-Wei ; Hung, Yung-Jr ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), S. 754-757
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    Performance and Spatial Sensitivity Variations of Single-Photon Avalanche Diodes Manufactured in an Image Sensor CMOS Process
    Borg, Johan
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-11-01), S. 1118-1120
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    BJT Process Spread Compensation Utilizing Base Recombination Current in Standard CMOS
    Bermak, Amine ; Law, Man-Kay ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-11-01), S. 1111-1113
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    ESD Protection Device With Dual-Polarity Conduction and High Blocking Voltage Realized in CMOS Process
    Hajjar, Jean-Jacques ; Luo, Sirui ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-04-01), S. 437-439
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    Impact of Stress Mode on Stochastic BTI in Scaled MG/HK CMOS Devices
    Srinivasan, Purushothaman ; Kerber, Andreas
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-04-01), S. 431-433
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    Tang, Fang ; Mohamad, Saqib ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), S. 54-56
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    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 392-395
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    Application of VRS Methodology for the Statistical Assessment of BTI in MG/HK CMOS Devices
    Kerber, Andreas ; Cartier, Eduard A.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-08-01), S. 960-962
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    A Latchup-Immune and Robust SCR Device for ESD Protection in 0.25-μm 5-V CMOS Process
    Huang, Yu-Ching ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-05-01), S. 674-676
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    Voltage Ramp Stress for Hot-Carrier Screening of Scaled CMOS Devices
    Kerber, Andreas ; McMahon, William ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), S. 749-751
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    SiNW-CMOS Hybrid Common-Source Amplifier as a Voltage-Readout Hydrogen Ion Sensor
    Kim, Dal-Hyun ; Chung, In-Young ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), S. 135-137
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    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    Yamamoto, Tatsuya ; Ikeda, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), S. 1448-1450
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