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    A PVT tolerant latch in a 90-nm CMOS and performances under AC noise.
    Kumar, Mithilesh ; Mondal, Abir J
    In: International Journal of Electronics, Jg. 111 (2024), Heft 1, S. 86-104
    academicJournal
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    A full input range, 1–1.8 V voltage supply scalable analog voltage comparator in 180nm CMOS.
    Gupta, Ashima ; Singh, Anil ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 108 (2021-08-01), Heft 8, S. 1360-1380
    academicJournal
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    A full input range, 1–1.8 V voltage supply scalable analog voltage comparator in 180nm CMOS
    Gupta, Ashima ; Agarwal, Alpana ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 108 (2021-02-27), S. 1360-1380
    Online unknown
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    CMOS electrochemical measurement circuit for biomolecular detection
    Wei, Chia-Ling ; Shao Te Wu ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 105 (2018-04-10), S. 1467-1486
    Online unknown
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    CMOS single-stage input-powered bridge rectifier with boost switch and duty cycle control
    Norfishah Ab Wahab ; Mustafar Kamal Hamzah ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 104 (2017-01-25), S. 1008-1019
    Online unknown
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    Design of a bulk-isolated bandgap reference with 3.7 ppm/°C TC in 0.35-μm triple-well CMOS process
    Aksin, D. Y. ; Basyurt, P. B.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 104 (2016-06-06), S. 79-92
    Online unknown
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    A 0.7 V 6.66–9.36 GHz wide tuning range CMOS LC VCO with small chip size
    Zhang, Jie ; Chen, Jun-Da
    In: International Journal of Electronics, Jg. 104 (2017-05-17), S. 1763-1776
    Online unknown
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    A novel design of ultra-broadband, high-gain and high-linearity variable gain distributed amplifier in 0.13 μm CMOS technology
    Rashedi, Esmat ; Baharvand, Zainab ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 103 (2016-06-13), S. 2075-2089
    Online unknown
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    academicJournal
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    Charge pump-based MOSFET-only 1.5-bit pipelined ADC stage in digital CMOS technology
    Singh, Anil ; Agarwal, Alpana
    In: International Journal of Electronics, Jg. 103 (2016-02-17), S. 1713-1725
    Online unknown
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    An efficient self-timed adder realized using conventional CMOS standard cells
    PERRI, Stefania ; CORSONELLO, Pasquale ; et al.
    In: International journal of electronics, Jg. 90 (2003), Heft 6, S. 413-422
    academicJournal
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    academicJournal
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    INDEP approach for leakage reduction in nanoscale CMOS circuits
    Raj, Balwinder ; Pattanaik, Manisha ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 102 (2014-03-11), S. 200-215
    Online unknown
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    Simple and accurate nonlinear OTA macromodel for simulation of CMOS OTA-C active filters
    KUNTMAN, H
    In: International journal of electronics, Jg. 77 (1994), Heft 6, S. 993-1006
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enhanced ground bounce noise reduction in a low-leakage CMOS multiplier
    Sharma, Sanjay ; Bipin Kumar Verma ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 102 (2014-12-06), S. 1486-1501
    Online unknown
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    A CMOS voltage buffer with slew-rate enhancement
    Yuen Sum Ng ; Ka Nang Leung
    In: International Journal of Electronics, Jg. 101 (2013-06-10), S. 820-830
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A new CMOS input buffer, both TTL and CMOS compatible, with a wide operating range
    SISKOS, S ; BAFLEUR, M ; et al.
    In: International journal of electronics, Jg. 72 (1992), Heft 1, S. 129-133
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 90 nm CMOS 15/60 GHz frequency quadrupler
    Birbas, Michael ; Liakou, F. ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 100 (2013-11-01), S. 1529-1545
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A standard CMOS high-voltage transmitter for ultrasound medical imaging applications
    Cha, Hyouk-Kyu
    In: International Journal of Electronics, Jg. 101 (2013-04-09), S. 410-418
    Online unknown
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    Wide tuning-range CMOS VCO based on a tunable active inductor
    Grout, Ian ; Abu Khairi A'ain ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 101 (2013-03-20), S. 88-97
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