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    A 0.39-mm2 Stacked Standard-CMOS Humidity Sensor Using a Charge-Redistribution Correlated Level Shifting Floating Inverter Amplifier and a VCO-Based Zoom CDC
    Li, H. ; Du, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-02-01), Heft 2, S. 435-448
    Online academicJournal
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    A Compact Sub-nW/kHz Relaxation Oscillator Using a Negative-Offset Comparator With Chopping and Piecewise Charge-Acceleration in 28-nm CMOS
    Liu, Y. ; Zhu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 515-525
    Online academicJournal
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    A Highly Linear and Efficient V-Band CMOS Power Amplifier Using Hybrid NMOS/PMOS for Double Nonlinearity Cancellation With Four-Way Distributed-Active-Transformer
    Li, T. ; Li, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-07-01), Heft 7, S. 2145-2158
    Online academicJournal
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    A 0.190-pJ/bit 25.2-Gb/s/wire Inverter-Based AC-Coupled Transceiver for Short-Reach Die-to-Die Interfaces in 5-nm CMOS
    Nishi, Y. ; Poulton, J.W. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-04-01), Heft 4, S. 1146-1157
    Online academicJournal
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    Nonvolatile CMOS Memristor, Reconfigurable Array, and Its Application in Power Load Forecasting
    Deng, Q. ; Wang, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Industrial Informatics, Jg. 20 (2024-04-01), Heft 4, S. 6130-6141
    Online academicJournal
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    A 10-Gb/s 275-fsec Jitter Cryo-CMOS Charge-Sampling CDR for Quantum Computing Application
    De Jong, L. ; Bas, J.I. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 33 (2023-06-01), Heft 6, S. 875-878
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A 0.0058-mm2 Inductor-Less CMOS Active Balun With Gain and Phase Errors Within −0.1 ± 0.2 dB and −0.18 ± 1.17° From DC to 8 GHz
    Kawahara, K. ; Umeda, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 2317-2330
    Online academicJournal
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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology
    Chen, J. ; Chi, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    High Efficiency D-Band Multiway Power Combined Amplifiers With 17.5–19-dBm Psat and 14.2–12.1% Peak PAE in 45-nm CMOS RFSOI
    Li, S. ; Rebeiz, G.M.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-05-01), Heft 5, S. 1332-1343
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Overview of CMOS Global Shutter Pixels
    Velichko, S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2806-2814
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 56-Gb/s Reconfigurable Silicon-Photonics Transmitter Using High-Swing Distributed Driver and 2-Tap In-Segment Feed-Forward Equalizer in 65-nm CMOS
    He, J. ; Zhang, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1159-1170
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.55V 10-Bit 100-MS/s SAR ADC With 3.6-fJ/Conversion-Step in 28nm CMOS for RF Receivers
    Zhao, Y. ; Chen, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 1811-1815
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Sub-μW Energy Harvester Architecture With Reduced Top/Bottom Plate Switching Loss Achieving 80.66% Peak Efficiency in 180-nm CMOS
    Megahed, M. ; Anand, T.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-05-01), Heft 5, S. 1386-1399
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fully Integrating a 400 V-to-12 V DC–DC Converter in High-Voltage CMOS
    Van Daele, T. ; Tavernier, F.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-03-01), Heft 3, S. 732-741
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    An Energy-Efficient Capacitively Biased Diode-Based Temperature Sensor in 55-nm CMOS
    Tang, Z. ; Fang, Y. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 4 (2021), S. 210-213
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    Analog CMOS Readout Channel for Time and Amplitude Measurements With Radiation Sensitivity Analysis for Gain-Boosting Amplifiers
    Sanchez-Rodriguez, T. ; Gomez-Galan, J.A. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 148421-148432
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Deterministic Dithering-Based 12-b 8-MS/s SAR ADC in 0.18-μm CMOS
    Konwar, S. ; Roy, H. ; et al.
    In: IEEE Solid-State Circuits Letters, Jg. 5 (2022), S. 243-246
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    A Three-Stage Charge Pump With Forward Body Biasing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS
    Pinheiro, C.A. ; Olivera, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 4810-4819
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
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