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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Operational upsets and critical new bit errors in CMOS digital inverters due to high power pulsed electromagnetic interference
    KIM, Kyechong ; ILIADIS, Agis A
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 1, S. 18-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A spice-like reliability model for deep-submicron CMOS technology
    CUI, Z ; LIOU, J. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 10, S. 1702-1707
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage and bulk inversion effects in nonclassical CMOS devices with undoped ultra-thin bodies
    TRIVEDI, Vishal P ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 170-178
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On the great potential of non-doped MOSFETs for analog applications in partially-depleted SOI CMOS process
    KILCHYTSKA, V ; LEVACQ, D ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 708-715
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Non-metallic effects in silicided gate MOSFETs
    RODRIGUEZ, Noel ; GAMIZ, Francisco ; et al.
    In: Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference 2009, ULIS 2009, Jg. 53 (2009), Heft 12, S. 1313-1317
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact strain engineering on gate stack quality and reliability
    CLAEYS, C ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1115-1126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Simulation study of the noise figure of nanometer-gate nMOS transistors near the scaling limit
    CAI, M ; LIU, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 5, S. 667-673
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFET's
    YUE, HAO ; YANG, Lin-An ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 9-10, S. 1540-1545
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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