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    Heteroepitaxy of III-V Compound Semiconductors on Silicon for Logic Applications: Selective Area Epitaxy in Shallow Trench Isolation Structures vs. Direct Epitaxy Mediated by Strain Relaxed Buffers
    Cantoro, Mirco ; Jiang, Sijia ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 349-355
    Online unknown
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    (Invited) Selective Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Heterostructures on Si Substrates for Logic Applications
    Dekoster, Johan ; Winderickx, G. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 933-939
    Online unknown
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    Strained Silicon on Wafer Level by Waferbonding: Materials Processing, Strain Measurements and Strain Relaxation
    Reiche, Manfred ; Moutanabbir, Ousssama ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 311-320
    Online unknown
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    Selective Epitaxial Growth of Germanium on Si Wafers with Shallow Trench Isolation: An Approach for Ge Virtual Substrates
    Heyns, Marc ; Loo, Roger ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 829-836
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The Deposition of Polycrystalline SiGe with Different Ge Precursors
    Shenai, Deo ; Brus, Stephan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 849-860
    Online unknown
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