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    A broadband 47–67 GHz LNA with 17.3 dB gain in 65-nm CMOS
    Zhigong, Wang ; Yang, Liu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-10-01), S. 105010-105010
    Online unknown
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    A new wideband LNA using agm-boosting technique
    Liang, Chen ; Meng, Zhang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014), S. 015002-15002
    Online unknown
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    Design of a low-power 433/915-MHz RF front-end with a current-reuse common-gate LNA
    Jing, Yiou ; Lu, Huaxiang
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 34 (2013-10-01), S. 105006-105006
    Online unknown
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    A 31.7-GHz high linearity millimeter-wave CMOS LNA using an ultra-wideband input matching technique
    Zhigong, Wang ; Geliang, Yang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012-12-01), S. 125011-125011
    Online unknown
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    A wideband LNA employing gate-inductive-peaking and noise-canceling techniques in 0.18 μm CMOS
    Zhigong, Wang ; Xiangning, Fan ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012), S. 015003-15003
    Online unknown
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    A CMOS variable gain LNA for UWB receivers
    Xin-Zhong, Duo ; Xiaowei, Sun ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 32 (2011-02-01), S. 025004-25004
    Online unknown
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    A low power high gain UWB LNA in 0.18-μm CMOS
    Zhongqian, Fu ; Lu, Huang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 30 (2009-11-01), S. 115004-115004
    Online unknown
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    A 0.7–7 GHz wideband reconfigurable receiver RF front-end in CMOS
    Huang, Fengyi ; Zhang, Xuegang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-08-01), S. 085003-85003
    Online unknown
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    A wideband large dynamic range and high linearity RF front-end for U-band mobile DTV
    Guo, Guiliang ; Yan, Yuepeng ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 34 (2013-10-01), S. 105003-105003
    Online unknown
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    A 6–7 GHz, 40 dB receiver RF front-end with 4.5 dB minimum noise figure in 0.13 μm CMOS for IR-UWB applications
    Zhiliang, Hong ; Yumei, Huang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 34 (2013-03-01), S. 035006-35006
    Online unknown
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    A low power 2.5-5 GHz low-noise amplifier using 0.5-μm GaAs pHEMT technology
    Yangyang, Peng ; Kejie, Lu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012-10-01), S. 105001-105001
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    S-band low noise amplifier using 1 μm InGaAs/InAlAs/InP pHEMT
    Yagoub, Mustapha C. E. ; Missous, Mohamed ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012-02-01), S. 025001-25001
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Design of a 0.18 μm CMOS multi-band compatible low power GNSS receiver RF frontend
    Zhao, Jin ; Bing, Li ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 32 (2011-03-01), S. 035007-35007
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 2.1–6 GHz SiGe BiCMOS low-noise amplifier design for a multi-mode wideband receiver
    Lei, Chen ; Ying, Ruan ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-05-01), S. 055001-55001
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A monolithic 3.1–4.8 GHz MB-OFDM UWB transceiver in 0.18-μm CMOS
    Jiangwei, Yin ; Wang, Yao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-06-01), S. 065007-65007
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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