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8 Treffer

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    Integration of III-V on Si for High-Mobility CMOS
    Waldron, Niamh ; Wang, Gang ; et al.
    2012
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Vapor phase doping for ultra shallow junction formation in advanced Si CMOS devices
    Shimizu, Yasuo ; Nguyen, Ngoc Duy ; et al.
    2010
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Selective epitaxial growth of III-V semiconductor on large-area Si substrate for advanced logic CMOS technologies
    Nguyen, Ngoc Duy ; Brammertz, Guy ; et al.
    2010
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    III-V Devices for Advanced CMOS
    Waldron, Niamh ; Nguyen, Ngoc Duy ; et al.
    2010
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Strained Si-on-insulator for advanced CMOS devices
    Mantl, S. ; Buca, D. ; et al.
    2007
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Heterogeneous Integration and Fabrication of III-V MOS Devices in a 200mm Processing Environment
    Waldron, Niamh ; Nguyen, Ngoc Duy ; et al.
    In: 219th ECS Meeting, 2011
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Selective epitaxial growth of III-V semiconductor heterostructures on Si substrates for logic applications
    Nguyen, Ngoc Duy ; Wang, Gang ; et al.
    2010
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Integration of InGaAs Channel n-MOS Devices on 200mm Si Wafers Using the Aspect-Ratio-Trapping Technique
    Waldron, Niamh ; Wang, Gang ; et al.
    2012
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record in ORBi (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -