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    Reliability compact modeling approach for layout dependent effects in advanced CMOS nodes
    Ndiaye, C. ; Berthelon, R. ; et al.
    In: 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) ; https://hal.science/hal-03654474 ; 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2017, Monterey, France. pp.4C-4.1-4C-4.7, ⟨10.1109/IRPS.2017.7936315⟩, 2017
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability compact modeling approach for layout dependent effects in advanced CMOS nodes
    Ndiaye, C. ; Berthelon, R. ; et al.
    In: 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) ; https://hal.science/hal-03654474 ; 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2017, Monterey, France. pp.4C-4.1-4C-4.7, ⟨10.1109/IRPS.2017.7936315⟩, 2017
    Konferenz
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    Reliability compact modeling approach for layout dependent effects in advanced CMOS nodes
    Ndiaye, C. ; Berthelon, R. ; et al.
    In: 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) ; https://hal.science/hal-03654474 ; 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2017, Monterey, France. pp.4C-4.1-4C-4.7, ⟨10.1109/IRPS.2017.7936315⟩, 2017
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability compact modeling approach for layout dependent effects in advanced CMOS nodes
    Ndiaye, C. ; Berthelon, R. ; et al.
    In: 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) ; https://hal.science/hal-03654474 ; 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2017, Monterey, France. pp.4C-4.1-4C-4.7, ⟨10.1109/IRPS.2017.7936315⟩, 2017
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
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