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    Low temperature growth of SiO2 thin film by double-excitation photo-CVD
    INOUE, K ; MICHIMORI, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 805-811
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Role of ions and radical species in silicon nitride deposition by ECR plasma CVD method
    HIRAO, T ; SETSUNE, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 5, S. 544-546
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective MOCVD growth of GaAs on Si substrate with superlattice intermediate layers
    SOGA, T ; SAKAI, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 2, S. 252-255
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Preparation of SiO2 film by photo-induced chemical vapor deposition using a deuterium lamp and its annealing effect
    TOYODA, Y ; INOUE, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 835-840
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Low-temperature silicon epitaxial growth by photochemical vapor deposition using vacuum ultraviolet light
    GONOHE, N ; SHIMIZU, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. L1189- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    C-Si-O(B) thin film-A possible X-ray mask substrate candidate
    MONTASSER, K ; YAMADA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 4, S. L237- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    MOCVD growth of GaAs0.6P0.4 on Si substrate
    TAKEYASU, M ; SOGA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 4, S. L297- (2S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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