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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 805-811academicJournalZugriff:
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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 5, S. 544-546academicJournalZugriff:
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In: Thin solid films, Jg. 155 (1987), Heft 1, S. 87-95academicJournalZugriff:
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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 2, S. 252-255academicJournalZugriff:
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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 835-840academicJournalZugriff:
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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. L1189- (4S.)academicJournalZugriff:
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In: Journal of applied physics, Jg. 62 (1987), Heft 1, S. 131-136Online academicJournalZugriff:
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In: Thin solid films, Jg. 122 (1984), Heft 3, S. 259-270academicJournalZugriff:
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In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 131 (1984), Heft 6, S. 1384-1388academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 12, S. 928-930Online academicJournalZugriff:
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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 4, S. L237- (3S.)academicJournalZugriff:
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Low pressure organometallic vapor phase epitaxial growth of device quality GaAs directly on (100) SiIn: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 8, S. 467-469Online academicJournalZugriff:
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In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 4, S. L297- (2S.)academicJournalZugriff: