Suchergebnisse
UB Katalog
Artikel & mehr
Suchmaske
Suchergebnisse einschränken oder erweitern
Aktive Suchfilter
Weniger Treffer
Gefunden in
Art der Quelle
Schlagwort
- capa fina 8 Treffer
- compose mineral 8 Treffer
- compuesto mineral 8 Treffer
- inorganic compound 8 Treffer
- physique des plasmas 7 Treffer
-
45 weitere Werte:
- plasma physics 7 Treffer
- caracterisation 5 Treffer
- caracterizacion 5 Treffer
- characterization 5 Treffer
- electronics 4 Treffer
- electronique 4 Treffer
- epitaxia 4 Treffer
- epitaxie 4 Treffer
- epitaxy 4 Treffer
- no metal 4 Treffer
- non metal 4 Treffer
- silicio 4 Treffer
- capa delgada 3 Treffer
- compose organometallique 3 Treffer
- compuesto organometalico 3 Treffer
- espectro ir 3 Treffer
- galio 3 Treffer
- infrared spectrum 3 Treffer
- organometallic compound 3 Treffer
- silicium 3 Treffer
- silicon 3 Treffer
- spectre ir 3 Treffer
- support 3 Treffer
- auger electron spectrometry 2 Treffer
- baja presion 2 Treffer
- basse pression 2 Treffer
- electrical properties 2 Treffer
- espectrometria auger 2 Treffer
- fotoexcitacion uv 2 Treffer
- gallium arsenides 2 Treffer
- gallium arseniure 2 Treffer
- indice refraccion 2 Treffer
- indice refraction 2 Treffer
- low pressure 2 Treffer
- microscopia electronica transmision 2 Treffer
- microscopie electronique transmission 2 Treffer
- photoexcitation uv 2 Treffer
- plasma 2 Treffer
- propiedad electrica 2 Treffer
- propriete electrique 2 Treffer
- rayon x 2 Treffer
- rayos x 2 Treffer
- refraction index 2 Treffer
- silicio iv 2 Treffer
- silicium iv oxyde 2 Treffer
Verlag
Publikation
Sprache
11 Treffer
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 805-811academicJournalZugriff:
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 5, S. 544-546academicJournalZugriff:
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 2, S. 252-255academicJournalZugriff:
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 835-840academicJournalZugriff:
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. L1189- (4S.)academicJournalZugriff:
-
In: Journal of applied physics, Jg. 62 (1987), Heft 1, S. 131-136Online academicJournalZugriff:
-
In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 12, S. 928-930Online academicJournalZugriff:
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 4, S. L237- (3S.)academicJournalZugriff:
-
Low pressure organometallic vapor phase epitaxial growth of device quality GaAs directly on (100) SiIn: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 8, S. 467-469Online academicJournalZugriff:
-
In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 4, S. L297- (2S.)academicJournalZugriff:
-
In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 5, S. 253-255Online academicJournalZugriff: