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    Device-quality SiO2 films on InP and Si obtained by operating the pyrolytic CVD reactor in the retardation regime
    LAKHANI, A. R
    In: Solid-state electronics, Jg. 27 (1984), Heft 10, S. 921-924
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impurity doping during Si epitaxy by means of CO2 laser CVD
    MEGURO, T ; OKABAYASHI, B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 9, S. 2345-2347
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Low-temperature silicon epitaxial growth by photochemical vapor deposition using vacuum ultraviolet light
    GONOHE, N ; SHIMIZU, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. L1189- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Inducing rapid epitaxy of polycrystalline silicon films deposited on <100> silicon by arsenic ion implantation
    KOMEM, Y ; WONG, C. Y ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 62 (1987), Heft 1, S. 131-136
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effects of reactive ion etching on chemical vapor deposition
    WONG, C. Y ; BATSON, P. E
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 5, S. 253-255
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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