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    First demondtration of heat dissipation improvement in CMOS technology using Silicon-On-Diamond (SOD) substrates
    Mazelier, J. P. ; Widiez, J. ; et al.
    In: IEEE International SOI Conference ; https://hal.science/hal-00604213 ; IEEE International SOI Conference, Oct 2009, Foster City, United States. ⟨10.1109/SOI.2009.5318735⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/5318735, 2009
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    First demondtration of heat dissipation improvement in CMOS technology using Silicon-On-Diamond (SOD) substrates
    Mazelier, J. P. ; Widiez, J. ; et al.
    In: IEEE International SOI Conference ; https://hal.science/hal-00604213 ; IEEE International SOI Conference, Oct 2009, Foster City, United States. ⟨10.1109/SOI.2009.5318735⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/5318735, 2009
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    First demondtration of heat dissipation improvement in CMOS technology using Silicon-On-Diamond (SOD) substrates
    Mazelier, J. P. ; Widiez, J. ; et al.
    In: IEEE International SOI Conference ; https://hal.science/hal-00604213 ; IEEE International SOI Conference, Oct 2009, Foster City, United States. ⟨10.1109/SOI.2009.5318735⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/5318735, 2009
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    First demondtration of heat dissipation improvement in CMOS technology using Silicon-On-Diamond (SOD) substrates
    Mazelier, J. P. ; Widiez, J. ; et al.
    In: IEEE International SOI Conference ; https://hal.science/hal-00604213 ; IEEE International SOI Conference, Oct 2009, Foster City, United States. ⟨10.1109/SOI.2009.5318735⟩ ; https://ieeexplore.ieee.org/document/5318735, 2009
    Online Konferenz
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    Hot carrier injection and negative bias temperature instability induced NMOS and PMOS degradation on CMOS Ring Oscillator
    Lahbib, I. ; Doukkali, M.A. ; et al.
    In: 2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS) ; https://normandie-univ.hal.science/hal-02184712 ; 2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Jan 2016, Tucson, United States. pp.7448024, ⟨10.1109/RAMS.2016.7448024⟩, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hot carrier injection and negative bias temperature instability induced NMOS and PMOS degradation on CMOS Ring Oscillator
    Lahbib, I. ; Doukkali, M.A. ; et al.
    In: 2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS) ; https://normandie-univ.hal.science/hal-02184712 ; 2016 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Jan 2016, Tucson, United States. pp.7448024, ⟨10.1109/RAMS.2016.7448024⟩, 2016
    Konferenz
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    Toward Gated-Diode-BIMOS for thin silicon ESD protection in advanced FD-SOI CMOS technologies
    de Conti, Louise ; Bedecarrats, Thomas ; et al.
    In: 2017 ICICDT Proceedings ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) ; https://hal.science/hal-02007065 ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), May 2017, Austin, United States. pp.44-47, ⟨10.1109/ICICDT.2017.7993509⟩, 2017
    Konferenz
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    Toward Gated-Diode-BIMOS for thin silicon ESD protection in advanced FD-SOI CMOS technologies
    de Conti, Louise ; Bedecarrats, Thomas ; et al.
    In: 2017 ICICDT Proceedings ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) ; https://hal.science/hal-02007065 ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), May 2017, Austin, United States. pp.44-47, ⟨10.1109/ICICDT.2017.7993509⟩, 2017
    Konferenz
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    Toward Gated-Diode-BIMOS for thin silicon ESD protection in advanced FD-SOI CMOS technologies
    de Conti, Louise ; Bedecarrats, Thomas ; et al.
    In: 2017 ICICDT Proceedings ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) ; https://hal.science/hal-02007065 ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), May 2017, Austin, United States. pp.44-47, ⟨10.1109/ICICDT.2017.7993509⟩, 2017
    Konferenz
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    Toward Gated-Diode-BIMOS for thin silicon ESD protection in advanced FD-SOI CMOS technologies
    De Conti, Louise ; Bedecarrats, Thomas ; et al.
    In: 2017 ICICDT Proceedings ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02007065 ; 2017 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), May 2017, Austin, United States. pp.44-47, ⟨10.1109/ICICDT.2017.7993509⟩, 2017
    Konferenz
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    First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700µA/µm
    Villalon, A. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2014 VLSI-Technology Technical Digest ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02003853 ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2014, Honolulu, United States. pp.66-67, ⟨10.1109/VLSIT.2014.6894369⟩, 2014
    Konferenz
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    First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700µA/µm
    Villalon, A. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2014 VLSI-Technology Technical Digest ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02003853 ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2014, Honolulu, United States. pp.66-67, ⟨10.1109/VLSIT.2014.6894369⟩, 2014
    Konferenz
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    First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700µA/µm
    Villalon, A. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2014 VLSI-Technology Technical Digest ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02003853 ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2014, Honolulu, United States. pp.66-67, ⟨10.1109/VLSIT.2014.6894369⟩, 2014
    Konferenz
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    First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700µA/µm
    Villalon, A. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2014 VLSI-Technology Technical Digest ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02003853 ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2014, Honolulu, United States. pp.66-67, ⟨10.1109/VLSIT.2014.6894369⟩, 2014
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    First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700µA/µm
    Villalon, A. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2014 VLSI-Technology Technical Digest ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02003853 ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2014, Honolulu, United States. pp.66-67, ⟨10.1109/VLSIT.2014.6894369⟩, 2014
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    First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700µA/µm
    Villalon, A. ; Le Royer, C. ; et al.
    In: 2014 VLSI-Technology Technical Digest ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology ; https://hal.science/hal-02003853 ; 2014 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2014, Honolulu, United States. pp.66-67, ⟨10.1109/VLSIT.2014.6894369⟩, 2014
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    Terahertz Imaging Using Strained-Si MODFETs as Sensors
    Meziani, Y.M ; Garcia-Garcia, E ; et al.
    In: Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012 International ; International Conference on Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Terahertz Imaging Using Strained-Si MODFETs as Sensors
    Meziani, Y.M ; Garcia-Garcia, E ; et al.
    In: Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012 International ; International Conference on Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012
    Konferenz
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    Efficient multi sub-band Monte Carlo simulation of nano-scaled Double Gate MOSFETs
    Saint-Martin, Jérôme ; Querlioz, Damien ; et al.
    In: 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices ; https://hal.science/hal-01827057 ; 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, Sep 2006, Monterey, United States. ⟨10.1109/SISPAD.2006.282875⟩, 2006
    Online Konferenz
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    Efficient multi sub-band Monte Carlo simulation of nano-scaled Double Gate MOSFETs
    Saint-Martin, Jérôme ; Querlioz, Damien ; et al.
    In: 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01827057 ; 2006 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, Sep 2006, Monterey, United States. ⟨10.1109/SISPAD.2006.282875⟩, 2006
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