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    Sincronización de circuitos integrados complejos CMOS
    MONICO LINARES, ARANDA ; OSCAR GONZÁLEZ, DÍAZ ; et al.
    2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Sincronización de Circuitos Integrados complejos CMOS. (Spanish)
    Mónico, Linares Aranda ; Oscar, González Díaz ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 24 (2011-06-01), Heft 2, S. 43-53
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Surface micromachining of a micro electromechanical inertial transducer based on commercially available Floating Gate Transistor technology.
    Abarca-Jiménez, G. S. ; Rubio, G. Romero-Paredes ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 31 (2018-07-01), Heft 3, S. 48-51
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Diseño integrado de un Amplificador Lock-in compacto de bajo consumo para aplicaciones portátiles. (Spanish)
    Maya-Hernández, P. M. ; Sanz-Pascual, M. T. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 27 (2014-06-01), Heft 2, S. 66-73
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A modular and generic monolithic integrated MEMS fabrication process.
    Aranda, M. Linares ; Arriaga, W. Calleja ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 30 (2017-09-01), Heft 3, S. 30-39
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Convertidor RF-CD para aplicaciones en etiquetas pasivas RFID. (Spanish)
    Martínez-Castillo, J. ; García-Ramirez, P. J. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 24 (2011-03-01), Heft 1, S. 14-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Memristance effect of metal-insulator-metal structures using Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> film as active layer for emergent memory devices.
    Molina, J. ; Valderrama, R. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 27 (2014-03-01), Heft 1, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200<superscript>°</superscript>C. (Spanish)
    Domínguez-J., M. A. ; Rosales-Q., P. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 24 (2011-03-01), Heft 1, S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C
    MIGUEL ANGEL DOMINGUEZ, JIMENEZ ; Pedro Rosales Quintero ; et al.
    2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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