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553 Treffer

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    Integration issues of high-k and metal gate into conventional CMOS technology
    SONG, S. C ; ZHANG, Z ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices
    REN, C ; FAIZHAL, B. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 174-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Doubling speed using strained Si/SiGe CMOS technology
    OLSEN, Sarah H ; TEMPLE, Matthew ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 338-341
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of plasma charging-induced white pixel defect increase in CMOS active pixel sensor
    TOKASHIKI, Ken ; BAI, Keunhee ; et al.
    In: Proceedings of the International Symposium on Dry Process (DPS 2005), Jeju, Korea, November 28-30, Jg. 515 (2007), Heft 12, S. 4864-4868
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic layer deposited HfO2 ultra-thin films on different crystallographic orientation Ge for CMOS applications
    Agrawal, Khushabu S. ; Patil, Vilas S. ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 654 (2018), S. 30-37
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Reverse graded strain relaxed SiGe buffers for CMOS and optoelectronic integration
    Shah, V.A. ; Dobbie, A. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-02-01), Heft 8, S. 3227-3231
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    GaAs on Ge for CMOS : Silicon epitaxy and heterostructures; International conference: ICSI-5
    Brammertz, G. ; Caymax, M. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 517 (2008), Heft 1, S. 148-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Selective etching of Si1?xGex versus Si with gaseous HCl for the formation of advanced CMOS devices : Silicon epitaxy and heterostructures; International conference: ICSI-5
    Loubet, N. ; Kormann, T. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 517 (2008), Heft 1, S. 93-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dopant diffusion and activation induced by sub-melt laser anneal within the co-implanted p+ polycrystalline silicon gate used in CMOS technologies
    Colin, A. ; Morin, P. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 518 (2010), Heft 9, S. 2390-2393
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Future challenges in CMOS process modeling
    Pichler, P. ; Burenkov, A. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 518 (2010), Heft 9, S. 2478-2484
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enabling Moore's Law beyond CMOS technologies through heteroepitaxy
    Thomas, S.G. ; Tomasini, P. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 518 (2010), Heft 6, S. S53- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Use of p- and n-type vapor phase doping and sub-melt laser anneal for extension junctions in sub-32 nm CMOS technology
    Nguyen, N.D. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 518 (2010), Heft 6, S. S48- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Addressing materials and integration issues for NiSi silicide contact metallization in nano-scale CMOS devices : Asia-Pacific conference on semiconducting silicides: science and technology towards sustainable optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006)
    Chi, D. Z. ; Lee, R. T. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 515 (2007), Heft 22, S. 8102-8108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on Germanium substrate for future CMOS technology : ICMAT 2005; Materials and Advanced Technologies; Silicon microelectronics: processing to packaging
    Li, R. ; Yao, H. B. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 504 (2006), Heft 1/2, S. 28-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Atomic layer deposited HfO2 ultra-thin films on different crystallographic orientation Ge for CMOS applications
    Mahajan, Ashok M. ; Patil, Vilas S. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 654 (2018-05-01), S. 30-37
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The impact of etch-stop layer for borderless contacts on deep submicron CMOS device performance-a comparative study : International conference on materials for advanced technologies; ICMAT 2003
    Liao, H. ; Lee, P. S. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 462/463 (2004), S. 29-33
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Highly conducting doped poly-Si deposited by hot wire CVD and its applicability as gate material for CMOS devices : International conference on Cat-CVD (hot wire CVD) process
    Patil, S. B. ; Vairagar, A. V. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 430 (2003), Heft NOS 1-2, S. 63-66
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Selective etching of Si 1 − xGe x versus Si with gaseous HCl for the formation of advanced CMOS devices
    Loubet, Nicolas ; Kormann, Thomas ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2008), Heft 1, S. 93-97
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on germanium substrate for future CMOS technology
    RUI, LI ; YAO, H. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 28-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Advanced salicides for 0.10 μm CMOS : Co salicide processes with low diode leakage and Ti salicide processes with direct formation of low resistivity C54 TiSi2
    KITTL, J. A ; HONG, Q. Z ; et al.
    In: International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, Jg. 332 (1998), Heft 1-2, S. 404-411
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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xl 1200 - 1366
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