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    A Fully Integrated Stimulator With High Stimulation Voltage Compliance Using Dynamic Bulk Biasing Technique in a Bulk CMOS Technology
    Zhou, Y. ; Wang, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2525-2537
    Online academicJournal
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    A 0.8-V Supply, 1.58% 3σ-Accuracy, 1.9-μW Bandgap Reference in 0.13-μm CMOS
    Cao, Y. ; Zhuang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1884-1888
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Subthreshold Modeling of a Tunable CMOS Schmitt Trigger
    Nowbahari, A. ; Marchetti, L. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 10977-10984
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An Ultra-Low-Voltage Single-Crystal Oscillator-Timer (XO-Timer) Delivering 16-MHz and 32.258-kHz Clocks for Sub-0.5-V Energy-Harvesting BLE Radios in 28-nm CMOS
    Lin, L. ; Lei, K. ; et al.
    In: IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Jg. 4 (2023), S. 126-138
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Automated In-Situ Monitoring for Variability-Resilient and Energy-Efficient Digital Circuits Demonstrated on a Viterbi Decoder in 22-nm CMOS
    Nieto Taladriz, C. ; Dehaene, W.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 31 (2023-09-01), Heft 9, S. 1320-1329
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Lowest-vIN CMOS Single-Inductor Boost Charger: Design, Limits, and Validation
    Chang, T. ; Rincon-Mora, G.A.
    In: IEEE Transactions on Power Electronics, Jg. 37 (2022-09-01), Heft 9, S. 10808-10820
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    基于CMOS反相器的模拟电路研究
    裴志军
    In: 天津职业技术师范大学学报 / Journal of Tianjin University of Technology and Education, Jg. 32 (2022), Heft 1, S. 46
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 0.55V 10-Bit 100-MS/s SAR ADC With 3.6-fJ/Conversion-Step in 28nm CMOS for RF Receivers
    Zhao, Y. ; Chen, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 1811-1815
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Compact Single-Transistor Current Source for Analog Design in Nanometer Digital CMOS
    Bai, C. ; Qiao, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 3508-3512
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 6.3-ppm/°C, 100-nA Current Reference With Active Trimming in 28-nm Bulk CMOS Technology
    Ballo, A. ; Grasso, A.D. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 108342-108353
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design of Dual-Configuration Dual-Mode Stimulator in Low-Voltage CMOS Process for Neuro-Modulation
    Hsieh, C. ; Wu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems, Jg. 17 (2023-04-01), Heft 2, S. 273-285
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Accurate Sub-1 V CMOS Bandgap Voltage Reference with PSRR of -118 ㏈
    Abbasizadeh, Hamed ; Cho, Sung-Hun ; et al.
    In: JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, Jg. 16 (2016-08-31), Heft 4, S. 528-532
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Sensitivity Improvement of a Fully Symmetric Vertical Hall Device Fabricated in 0.18 μm Low-Voltage CMOS Technology
    Huang, H. ; Xu, Y.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 820-826
    Online academicJournal
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    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Multi-Folded MCML for Ultra-Low-Voltage High-Performance in Deeply Scaled CMOS
    Palumbo, G. ; Scotti, G.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 4696-4706
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 0.5-V Multiple-Input Bulk-Driven OTA in 0.18-μm CMOS
    Khateb, F. ; Kulej, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-11-01), Heft 11, S. 1739-1747
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design and Simulation of Novel Low-Voltage CMOS Vertical Hall Devices With Capacitively Coupled Measuring Contacts
    Okeil, H. ; Schrag, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5653-5661
    Online academicJournal
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    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Accurate Low-Power Power-on-Reset Circuit in 55-nm CMOS Technology
    You, H. ; Yuan, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 3361-3365
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 1-nW Ultra-Low Voltage Subthreshold CMOS Voltage Reference With 0.0154%/V Line Sensitivity
    Lin, J. ; Wang, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 1653-1657
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 0.5–1.7 V Efficient and PVT-Invariant Constant Subthreshold gm Reference Circuit in CMOS
    Lee, M. ; Moez, K.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 69 (2022-10-01), Heft 10, S. 3915-3926
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 0.3-V High Linear Rail-to-Rail Bulk-Driven OTA in 0.13 μm CMOS
    Kulej, T. ; Khateb, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 2046-2050
    Online academicJournal
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