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    Effect of interfacial SiO<subscript>2−y</subscript> layer and defect in HfO<subscript>2−x</subscript> film on flat-band voltage of HfO<subscript>2−x</subscript>/SiO<subscript>2−y</subscript> stacks for backside-illuminated CMOS image sensors
    Na, Heedo ; Lee, Jimin ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 124 (2018-02-20), Heft 3
    Online academicJournal
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    Performance investigation of Ge-based dielectric modulated junctionless TFET as a label-free biosensor
    Swati ; Kaur, Jasdeep ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 130 (2024-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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    Low capacitance CMOS silicon photodetectors for optical clock injection
    Latif, S. ; Kocabas, S. E. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 95 (2009-06-01), Heft 4, S. 1129-1135
    Online academicJournal
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    Optical–thermal simulation applied to the study of the pattern effects induced by the sub-melt laser anneal process in advanced CMOS technologies
    Colin, A. ; Morin, P. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 104 (2011-08-01), Heft 2, S. 517-527
    Online academicJournal
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    Resistive switching of silicon-rich-oxide featuring high compatibility with CMOS technology for 3D stackable and embedded applications
    Huang, Ru ; Zhang, Lijie ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-03-01), Heft 4, S. 927-931
    Online academicJournal
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    CMOS-compatible light-emitting devices based on thin aluminum nitride film containing Al nanocrystals
    Liu, Y. ; Chen, T. P. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 95 (2009-06-01), Heft 3, S. 753-756
    Online academicJournal
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    A study of the switching mechanism and electrode material of fully CMOS compatible tungsten oxide ReRAM.
    Chien, W. ; Chen, Y. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-03-15), Heft 4, S. 901-907
    Online academicJournal
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    Extraction of performance parameters of nanoscale SOI LDD-FinFET using a semi-analytical model of capacitance and channel potential for low-power applications
    Dixit, Ankit ; Samajdar, Dip Prakash
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 126 (2020-09-12), Heft 10
    Online academicJournal
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    CMOS 1/f noise: n-channel versus p-channel
    Murray, D. C. ; Carter, J. C. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 51 (1990-10-01), Heft 4, S. 337-339
    Online serialPeriodical
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    Effect of interfacial SiO<subscript>2−<italic>y</italic></subscript> layer and defect in HfO<subscript>2−<italic>x</italic></subscript> film on flat-band voltage of HfO<subscript>2−<italic>x</italic></subscript>/SiO<subscript>2−<italic>y</italic></subscript> stacks for backside-illuminated CMOS image sensors
    Na, Heedo ; Lee, Jimin ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 124 (2018-03-01), Heft 3, S. 1-1
    Online academicJournal
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    A facile synthesis of calcium manganese oxide for supercapacitor application.
    Kanagarajan, Kiruthika ; Velayutham, Renuga ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 129 (2023-08-01), Heft 8, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Single-crystalline silicon quantum well embedded in SiO<subscript>2</subscript> thin layer for broadband photodetection and energy harvesting.
    Aouassa, Mansour ; Bouabdellaoui, Mohammed ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 129 (2023-11-01), Heft 11, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Si–Ge–Sn alloys grown by chemical vapour deposition: a versatile material for photonics, electronics, and thermoelectrics.
    Grützmacher, D. ; Concepción, O. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 129 (2023-03-01), Heft 3, S. 1-10
    Online academicJournal
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    The discovery of a third breakdown: phenomenon, characterization and applications.
    Chung, Steve S.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 129 (2023-02-01), Heft 2, S. 1-15
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    Modeling and performance analysis of Nanocavity Embedded Dopingless T-shaped Tunnel FET with high-K gate dielectric for biosensing applications.
    Priya, G. Lakshmi ; Venkatesh, M. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 128 (2022-11-01), Heft 11, S. 1-13
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    Dual-band flat lens with negative index for silicon photonics.
    Yue, Quan ; Akmansoy, Éric
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 128 (2022-07-01), Heft 7, S. 1-10
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    Nanoimprint lithography enables memristor crossbars and hybrid circuits.
    Xia, Qiangfei ; Wu, Wei ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 121 (2015-11-01), Heft 2, S. 467-479
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    Hafnium based high-k dielectric gate-stacked (GS) gate material engineered (GME) junctionless nanotube MOSFET for digital applications.
    Kumar, Raj ; Kumar, Arvind
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 127 (2021), Heft 1, S. 1-12
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    Studying the luminescence efficiency of LuO:Eu nanophosphor material for digital X-ray imaging applications.
    Kalyvas, N. ; Liaparinos, P. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 106 (2012), Heft 1, S. 131-136
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    Nanoscale resistive switches: devices, fabrication and integration.
    Xia, Qiangfei
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-03-15), Heft 4, S. 955-965
    Online academicJournal
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