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    Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy.
    Shinoda, Hiroyuki ; Mutsukura, Nobuki
    In: Vacuum, Jg. 125 (2016-03-01), S. 133-140
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy
    Mutsukura, Nobuki ; Shinoda, Hiroyuki
    In: Vacuum, Jg. 125 (2016-03-01), S. 133-140
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Improved crystalline quality of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane patterned sapphire substrate (Conference Presentation)
    Iwaya, Motoaki ; Kamiyama, Satoshi ; et al.
    In: Gallium Nitride Materials and Devices XIII, 2018-03-14
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of high quality AlN using combined structure of low temperature buffer and superlattices for applications in the deep ultraviolet
    Kim, Jinwan ; Nam, Okhyun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-07-27), S. 081001-81001
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Acidic ammonothermal growth of GaN crystals using GaN powder as a nutrient
    Hazu, K. ; Kagamitani, Yuji ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 15 (2013), S. 5382-5382
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Achievement of Polarity Reversion From Al(Ga)-Polar to N-Polar For AlGaN Film on AlN Seeding Layer Grown By a Novel Flow-Modulation Technology
    Zhuang, Zhe ; Zhang, Jin ; et al.
    2021
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Improved crystal quality of non-polar a-plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned r-sapphire substrates
    Chen, H. S. ; Jia, Haiqiang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 2747-2753
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Improvement in the crystal quality of non-polar a-plane GaN directly grown on an SiO2 stripe-patterned r-plane sapphire substrate
    Ma, Ziguang ; Deng, Zhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 5124-5128
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Highly transparent ammonothermal bulk GaN substrates
    Ehrentraut, Dirk ; D'Evelyn, Mark P. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 403 (2014-10-01), S. 18-21
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Epitaxy of GaN on Si(111) substrate by the hydride vapor phase epitaxy method
    Wang, Juan ; Young Jun Choi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 249-253
    Online unknown
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    Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AIN on sapphire using thin medium-temperature AIN buffer layer
    Hiramatsu, Kazumasa ; Aoki, Masakazu ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2007-10-01), S. 9395-9399
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial GaN Film Grown at Low Temperature by Hydrogen-Plasma Assisted MOCVD
    Sugianto ; Hassan, Zainuriah ; et al.
    In: Materials Science Forum, Jg. 517 (2006-06-01), S. 9-12
    Online unknown
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    Influence of alumina content and thermal treatment on the thermal conductivity of UPE/Al2O3composite
    Dong, Lihua ; Fuhua, Zhang ; et al.
    In: Journal of Applied Polymer Science, Jg. 131 (2014-03-03)
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of the V/III ratio on the quality of aluminum nitride grown on (0001) sapphire by high temperature hydride vapor phase epitaxy
    Blanquet, Elisabeth ; Pique, D. ; et al.
    2013
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Growth studies of GaP on Si by gas-source molecular beam epitaxy
    Bi, Wengang ; Mei, X.B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 164 (1996-07-01), S. 256-262
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High Quality, Low Cost Ammonothermal Bulk GaN Substrates
    D'Evelyn, Mark P. ; Downey, Bradley C. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-05-20), S. 08JA01
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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