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    Sub‐Microsecond Polarization Switching in (Al,Sc)N Ferroelectric Capacitors Grown on Complementary Metal–Oxide–Semiconductor‐Compatible Aluminum Electrodes.
    Wang, Dixiong ; Musavigharavi, Pariasadat ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-05-01), Heft 5, S. 1-6
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    Visible to Short‐Wave Infrared Broadband p‐WSe<subscript>2</subscript>/n‐Ge Heterojunction Phototransistor with an Annular Shallow‐Trench Schottky Barrier Collector.
    Li, Shuo ; Cai, Xinwei ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 18 (2024), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Encapsulation Effects on Ge‐Rich GeSbTe Phase‐Change Materials at High Temperature.
    Daoudi, Oumaima ; Nolot, Emmanuel ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 2024-01-29, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Low-cost high-quality crystalline germanium based flexible devices.
    Nassar, Joanna M. ; Hussain, Aftab M. ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 8 (2014-09-01), Heft 9, S. 794-800
    Online academicJournal
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    Recent Progress and Perspectives of Field‐Effect Transistors Based on p‐Type Oxide Semiconductors.
    Kim, Taikyu ; Jeong, Jae Kyeong
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 16 (2022), Heft 1, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Phase‐Change Logic via Thermal Cross‐Talk for Computation in Memory.
    Kanan, Nadim ; Khan, Raihan Sayeed ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-03-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Fundamental Identification of Defect‐Related Electron Trap in Hf<subscript>1−x</subscript>Zr<subscript>x</subscript>O<subscript>2</subscript> Alloy Gate Dielectric on Silicon: Oxygen Vacancy versus Hydrogen Interstitial.
    Liu, Zhu-You ; Zhang, Cai-Xin ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 17 (2023), Heft 1, S. 1-6
    Online academicJournal
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    High‐Quality Plasmonic Materials TiN and ZnO:Al by Atomic Layer Deposition.
    Izyumskaya, Natalia ; Fomra, Dhruv ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-10-01), Heft 10, S. 1-16
    Online academicJournal
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    High‐Performance and High‐Endurance HfO<subscript>2</subscript>‐Based Ferroelectric Field‐Effect Transistor Memory with a Spherical Recess Channel.
    Kim, Taeho ; Hwang, Junghyeon ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-05-01), Heft 5, S. 1-6
    Online academicJournal
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    HfO<subscript>2</subscript>‐Based Ferroelectrics Applications in Nanoelectronics.
    Dragoman, Mircea ; Aldrigo, Martino ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-05-01), Heft 5, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Ferroelectric Properties and Polarization Fatigue of La:HfO<subscript>2</subscript> Thin‐Film Capacitors.
    Li, Xiaofei ; Li, Chen ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-04-01), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    A High‐Performance Memristor Device and Its Filter Circuit Application.
    Gao, Chao ; Wang, Hong ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 14 (2020-12-01), Heft 12, S. 1-8
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    Dielectric/Semiconductor Interfacial p‐Doping: A New Technique to Fabricate Solution‐Processed High‐Performance 1 V Ambipolar Oxide Transistors.
    Chourasia, Nitesh K. ; Sharma, Anand ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 14 (2020-10-01), Heft 10, S. 1-6
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    Design of direct band gap type I GeSn/Ge quantum dots for mid-IR light emitters on Si substrate.
    Ilahi, Bouraoui
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 11 (2017-05-01), Heft 5, S. n/a- (5S.)
    Online academicJournal
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    Junctionless nanowire transistor fabricated with high mobility Ge channel.
    Yu, Ran ; Georgiev, Yordan M. ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 8 (2014), Heft 1, S. 65-68
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    Growth and properties of InGaAs nanowires on silicon.
    Koblmüller, Gregor ; Abstreiter, Gerhard
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 8 (2014), Heft 1, S. 11-30
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    One decade of fully transparent oxide thin-film transistors: fabrication, performance and stability.
    Frenzel, Heiko ; Lajn, Alexander ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 7 (2013-09-01), Heft 9, S. 605-615
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    Screening and interlayer coupling in multilayer MoS<subscript>2</subscript>.
    Das, Saptarshi ; Appenzeller, Joerg
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 7 (2013-04-01), Heft 4, S. 268-273
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    Flexible semi-transparent silicon (100) fabric with high-k/metal gate devices.
    Rojas, Jhonathan P. ; Hussain, Muhammad Mustafa
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 7 (2013-03-01), Heft 3, S. 187-191
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    Resistive switching behaviour of a tantalum oxide nanolayer fabricated by plasma oxidation.
    Tang, G. S. ; Zeng, F. ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 7 (2013-04-01), Heft 4, S. 282-284
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