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58 Treffer

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    New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Mironov, O. A. ; Hassan, A. H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 61-64
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges in CMOS-based images : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Roy, F. ; Tournier, A. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 50-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature plasma oxidation for advanced 3D CMOS-based devices : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Niess, J. ; Kegel, W. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 37-40
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Crosstalk suppression of CMOS compatible AlN based SAW devices on low resistive Si (100) : Group III nitrides; the E-MRS 2013
    Kaletta, U.C. ; Wolansky, D. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 2, S. 249-252
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Two- and multi-terminal silicon light emitting devices in standard CMOS/BiCMOS IC technology : Photo-responsive materials
    Plessis, M. d. ; Aharoni, H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 1 (2004), Heft NO 9, S. 2225-2233
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Advanced Extra Functionality CMOS-based Devices : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Cristiano, F. ; Pichler, P. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 7-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    AlN/AlGaN/GaN buffer optimization on silicon (111): bow and crystal quality control for Si-CMOS fabs
    Kandaswamy, P. K. ; Liang, H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 3-4, S. 450-453
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Crosstalk suppression of CMOS compatible AlN based SAW devices on low resistive Si(100)
    Kaletta, U. C. ; Wolansky, D. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 2, S. 249-252
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology
    Mironov, O. A. ; Hassan, A. H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 61-64
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Challenges in CMOS-based images
    Roy, F. ; Tournier, A. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 50-56
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low temperature plasma oxidation for advanced 3D CMOS-based devices
    Niess, J. ; Kegel, W. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 37-40
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Method and process flow for CMOS compatible photonics integration
    Goebel, A. ; Wojcik, G. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 8 (2011), Heft 9, S. 2969-2972
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Self-assembled silicon-germanium nanostructures for CMOS compatible light emitters
    Lockwood, D. J. ; Tsybeskov, L.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 8 (2011), Heft 9, S. 2870-2874
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The influence of poly-Si/SiGe gate in CMOS transistors for RF and microwave circuit applications
    Jimenez, H. G. ; Manera, L. T. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 7 (2010), Heft 2, S. 440-443
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-frequency scalable compact modelling of Si RF-CMOS technology
    Bazigos, A. ; Bucher, M. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 5 (2008), Heft 12, S. 3681-3685
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A comparative evaluation of de-embedding methods for on-wafer RF CMOS inductor S-parameter measurements
    Drakaki, M. ; Hatzopoulos, A. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 5 (2008), Heft 12, S. 3671-3676
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Two- and multi-terminal silicon light emitting devices in standard CMOS/BiCMOS IC technology
    Plessis, M. d. ; Aharoni, H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 1 (2004), Heft 9, S. 2225-2233
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Tunneling current in gate dielectric stack in sub-45 nanometer CMOS devices
    Tyagi, H. K. ; Prasad, B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 6 (2009), Heft 12, S. 2750-2752
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Advanced Extra Functionality CMOS-based Devices
    Cristiano, F. ; Pichler, P. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 7-8
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Gate-engineering-based approach to improve the nanoscale DG MOSFET behavior against interfacial trap effects : Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices; Papers presented at the E-MRS spring meeting - symposium K: Physics and technology of advanced extra functionality CMOS-based devices : Strasbourg, France, 27-31 May 2013
    Bentrcia, T. ; Djeffal, F. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 11 (2014), Heft 1, S. 77-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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