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    Infrared photodetectors based on n-i-p-i InAs structures grown by MOCVD
    Bulaev, Peter V. ; Kulikov, Vladimir B. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 1996-04-19
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    CVD growth of two-dimensional MoS2 depending on the location of the SiO2 substrates
    Vinokurov, P. V. ; Boiakinov, E. F. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, 2018
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    GaN nanowires growth with record growth rate using Ti thin film
    Rozhavskaya, M. M. ; Lundin, W. V. ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 572 (2014-12-10), S. 012030-12030
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Infrared photodetectors based on narrow-gap AIIIBVsemiconductor materials grown by LP-MOCVD
    Bulaev, Peter V. ; A A Padalitsa ; et al.
    In: Third Conference on Photonic Systems for Ecological Monitoring, 1997-08-11
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -