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    Very high tin doping of Ga0.47In0.53As by molecular beam epitaxy
    PANISH, M. B ; HAMM, R. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 12, S. 1137-1139
    Online academicJournal
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    Growth of in situ deoped silicon epitaxial layer by rapid thermal processing
    LEE, S. K ; KU, Y. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 16, S. 1628-1630
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Ultra-high piezoresponse in tantalum doped potassium sodium niobate single crystal
    Riemer, Lukas M. ; Tian, Hao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-03-16), S. 112902-112902
    Online unknown
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    Oriented layered Bi2O2Se nanowire arrays for ultrasensitive photodetectors
    Wen, Yao ; Cheng, Zhongzhou ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 114 (2019-04-15), S. 151104-151104
    Online unknown
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    Room temperature ferromagnetic and ambipolar behaviors of MoS2 doped by manganese oxide using an electrochemical method
    Shon, Yoon ; Eun Kyu Kim ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-05-29), S. 222104-222104
    Online unknown
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    Low resistance ohmic contacts on nitrogen ion bombarded InP
    Pearton, Stephen J. ; James Robert Lothian ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 65 (1994-10-24), S. 2165-2167
    Online unknown
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    Structural and optical properties of Ba(Cox,Ti1−x)O3 thin films fabricatedby sol-gel process
    Zhang, Wei ; Li, Yawei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-13), S. 1964-1966
    Online unknown
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    Coulomb blockade in a silicon/silicon–germanium two-dimensional electron gas quantum dot
    Truitt, J. L. ; Slinker, K. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-05-17), S. 4047-4049
    Online unknown
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    Enhancement of boron solid solubility in Si by point-defect engineering
    Liu, Jiarui ; Chen, John ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-04-26), S. 3325-3327
    Online unknown
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    Response function during oxygen sputter profiling and its application to deconvolution of ultrashallow B depth profiles in Si
    Liu, Jiarui ; Zhang, Jianming ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-12-29), S. 5467-5469
    Online unknown
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    Using point-defect engineering to increase stability of highly doped ultrashallow junctions formed by molecular-beam-epitaxy growth
    Dharmaiahgari, Bhanu P. ; Trombetta, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-10-06), S. 2823-2825
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Doping of diamond by coimplantation of carbon and boron
    SANDHU, G. S ; SWANSON, M. L ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 14, S. 1397-1399
    Online academicJournal
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    Carbon and zinc delta doping for Schottky barrier enhancement on n-type Gas
    PEARTON, S. J ; REN, F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 13, S. 1342-1344
    Online academicJournal
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    Gettering of gold and copper with implanted carbon in silicon
    WONG, H ; CHEUNG, N. W ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 11, S. 889-891
    Online academicJournal
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    Ultrashort hole capture time in Mg-doped GaN thin films
    Mishra, Umesh K. ; Xing, Huili ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-11-18), S. 3975-3977
    Online unknown
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    Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
    Jiang, C. P. ; Zeng, Yiping ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-09-17), S. 1909-1911
    Online unknown
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    Longitudinal optic phonon–plasmon coupling in δ-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates
    Wang, B. Q. ; Guo, Shaoling ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-08-27), S. 1375-1377
    Online unknown
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    Retardation of boron diffusion in silicon by defect engineering
    Lu, Xinming ; Chu, Wei-Kan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-04-16), S. 2321-2323
    Online unknown
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    Nonlinear electrical properties of Si three-terminal junction devices
    Prunnila, Mika ; Sun, Jie ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010), Heft 24
    Online unknown
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    High-dielectric-constant Ta2O5/n-GaN metal-oxide-semiconductor structure
    Chu, Ann-Kuo ; Tu, Li-Wei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-12-04), S. 3788-3790
    Online unknown
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