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    High-Temperature Recessed Channel SiC CMOS Inverters and Ring Oscillators
    Ekström, Mattias ; Malm, B. Gunnar ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), Heft 5, S. 670-673
    Online unknown
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    Back-End-of-Line Compatible Fully Depleted CMOS Inverters Employing Ge p-FETs and α-InGaZnO n-FETs
    Han, Kaizhen ; Wang, Chengkuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), S. 1488-1491
    Online unknown
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    Demonstration of CMOS Integration With High-Voltage Double-Implanted MOS in 4H-SiC
    Huang, Chih-Fang ; Hung, Jia-Ching ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 78-81
    Online unknown
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    CMOS inverter based on gate-all-around Silicon-Nanowire MOSFETs fabricated using Top-Down approach
    RUSTAGI, S. C ; SINGH, N ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 1021-1024
    Online academicJournal
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    Ink-Jet-Printed Organic Thin-Film Transistors for Low-Voltage-Driven CMOS Circuits With Solution-Processed AlOX Gate Insulator
    SUNG HOON, KIM ; SUN HEE, LEE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 2, S. 307-309
    Online academicJournal
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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    FUKUDA, Kenjiro ; SEKITANI, Tsuyoshi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1448-1450
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CMOS Inverter Based on Schottky Source-Drain MOS Technology With Low-Temperature Dopant Segregation
    LARRIEU, Guilhem ; DUBOIS, Emmanuel
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 728-730
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Novel Scheme for Fabricating CMOS Inverters With Poly-Si Nanowire Channels
    KUO, Chia-Hao ; LIN, Horng-Chih ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 833-835
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design of CMOS transistors to maximize circuit FOM using a coupled process and mixed-mode simulation methodology
    VENUGOPAL, R ; CHAKRAVARTHI, S ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 10, S. 863-865
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A stacked CMOS technology on SOI substrate
    SHENGDONG, ZHANG ; RUQI, HAN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 25 (2004), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
    Online unknown
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    Device Circuit Co-Design Issues in Vertical Nanowire CMOS Platform
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 934-936
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Simple Fabrication of a Three-Dimensional CMOS Inverter Using p-Type Poly-Si and n-Type Amorphous Ga―In―Zn―O Thin-Film Transistors
    GUANGHAI, JIN ; CHOI, Jonghyun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 9, S. 1236-1238
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS Inverter Based on Gate-All-Around Silicon-Nanowire MOSFETs Fabricated Using Top-Down Approach
    Balasubramanian, N. ; Buddharaju, K.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-11-01), S. 1021-1024
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    Yamamoto, Tatsuya ; Ikeda, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), S. 1448-1450
    Online unknown
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