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    Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status
    YI, SONG ; HUAJIE, ZHOU ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 40 (2011), Heft 7, S. 1584-1612
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of statistical variability in nano-CMOS transistors using drift-diffusion, Monte Carlo and non-equilibrium Green's function techniques
    ASENOV, Asen ; BROWN, Andrew R ; et al.
    In: THE STATE OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS IN EUROPE, Jg. 8 (2009), Heft 3-4, S. 349-373
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Characterization of High-k Gate Dielectric with Amorphous Nanostructure
    BAHARI, Ali ; GHOLIPUR, Reza
    In: Journal of electronic materials, Jg. 42 (2013), Heft 12, S. 3529-3540
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    EPR characterization of defects in m-HfO2
    WRIGHT, Sandra ; BARKLIE, R. C
    In: Papers presented at the second international workshop: Coordination action on defects relevant to engineering silicon-based devices (Crete, September 2006), Jg. 18 (2007), Heft 7, S. 743-746
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Electrical properties of pulsed laser deposited Bi2Zn2/3Nb4/3O7 thin films for high K gate dielectric application
    SUDHEENDRAN, K ; RAJU, K. C. James
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 22 (2011), Heft 6, S. 626-630
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Dopant enhanced in nickel silicide formation for high-k dielectric applications
    TAN, S. Y
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 21 (2010), Heft 11, S. 1195-1201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Control of Interface Traps in HfO2 Gate Dielectric on Silicon : Phase Stability, phase transformation and reactive phase formation in electronic materials
    TAN, S. Y
    In: Journal of electronic materials, Jg. 39 (2010), Heft 11, S. 2435-2440
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High-κ dielectrics and advanced channel concepts for Si MOSFET
    MO, WU ; ALIVOV, Y. I ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 19 (2008), Heft 10, S. 915-951
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High-k gate oxide for silicon heterostructure MOSFET devices
    RAY, S. K ; MAHAPATRA, R ; et al.
    In: Oxides in electronics, dedicated to Cyril Hogarth, Jg. 17 (2006), Heft 9, S. 689-710
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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