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    Hitachi Ltd. Researcher Focuses on CMOS Technology (Time-dependent dielectric breakdown of SiC-CMOS technology for harsh environments)
    In: Journal of Engineering, 2024-02-05, S. 1467
    Zeitungsartikel
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    Study Results from National Central University Update Understanding of Electronics (A Novel X-band Cmos Asymmetric T/r Switch With High-pass Tx Arm and Low-pass Rx Arm)
    In: Journal of Engineering, 2023-08-14, S. 3245
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Findings on Solid State Electronics Detailed by Investigators at Intel Corporation (A 100-gb/s Pam-4 Optical Receiver With 2-tap Ffe and 2-tap Direct-feedback Dfe In 28-nm Cmos).
    In: Journal of Technology & Science, 2022-01-23, S. 171
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Data from Intel Corporation Provide New Insights into Solid State Electronics (A Universal Modular Hybrid Ldo With Fast Load Transient Response and Programmable Psrr In 14-nm Cmos Featuring Dynamic Clamp Strength Tuning).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-09-05, S. 24
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    New Findings Reported from Intel Corporation Describe Advances in Solid State Electronics (A Self-calibrated 2-bit Time-period Comparator-based Synthesized Fractional-n Mdll In 22-nm Finfet Cmos).
    In: Journal of Technology & Science, 2021-02-21, S. 365
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    New Solid State Electronics Study Findings Have Been Reported from Intel Corporation (A 128 Gb/s, 11.2 Mw Single-ended Pam4 Linear Tia With 2.7 Mu ${A}_(Rms)}$ Input Noise In 22 Nm Finfet Cmos)
    In: Journal of Engineering, 2022-03-28, S. 1544
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    New Solid State Electronics Data Have Been Reported by Researchers at Intel Corporation (A Scalable 32-56 Gb/s 0.56-1.28 Pj/b Voltage-mode Vcsel-based Optical Transmitter In 28-nm Cmos)
    In: Journal of Technology, 2022-01-18, S. 414
    Zeitungsartikel
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    Findings from Intel Corporation Reveals New Findings on Solid State Electronics (Silicon Photonic Microring-based 4 X 112 Gb/s Wdm Transmitter With Photocurrent-based Thermal Control In 28-nm Cmos)
    In: Journal of Technology, 2022-01-18, S. 91
    Zeitungsartikel
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    Data from Seoul National University Advance Knowledge in Engineering (A 10 Gb/s PAM-4 Transmitter With Feed-Forward Implementation of Tomlinson-Harashima Precoding in 28 nm CMOS)
    In: Journal of Engineering, 2021-12-20, S. 344
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Reports from Intel Corporation Describe Recent Advances in Solid State Electronics (A Fully Integrated Cryo-cmos Soc for State Manipulation, Readout, and High-speed Gate Pulsing of Spin Qubits)
    In: Journal of Technology, 2021-11-30, S. 441
    Zeitungsartikel
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    New Solid State Electronics Study Findings Have Been Reported by Investigators at Intel Corporation (A Variation-Adaptive Integrated Computational Digital LDO in 22-nm CMOS With Fast Transient Response).
    In: Journal of Technology & Science, 2020-05-03, S. 301
    Zeitungsartikel
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    New Sensor Research Research from Technical University Catalunya Outlined (A CMOS-MEMS BEOL 2-axis Lorentz-Force Magnetometer with Device-Level Offset Cancellation)
    In: Journal of Technology, 2020-11-03, S. 494
    Zeitungsartikel
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    Recent Findings in Circuits and Signal Processing Described by Researchers from Hitachi Ltd. (A 100-gbps 4-lane Transceiver for 47-db Loss Copper Cable In 28-nm Cmos)
    In: Journal of Engineering, 2020-10-26, S. 3122
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Investigators from Intel Corporation Have Reported New Data on Solid State Electronics (An All-digital, Vmax-compliant, Stable, and Scalable Distributed Charge Injection Scheme In 10-nm Cmos for Fast and Local Mitigation of Voltage Droop)
    In: Journal of Technology, 2020-07-28, S. 208
    Zeitungsartikel
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    Findings on Solid State Electronics Discussed by Investigators at Intel Corporation (A Light-Load Efficient Fully Integrated Voltage Regulator in 14-nm CMOS With 2.5-nH Package-Embedded Air-Core Inductors)
    In: Journal of Technology, 2020-01-14, S. 138
    Zeitungsartikel
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    Data from Sogang University Provide New Insights into Electronics (Two Cmos Time To Digital Converters Using Successive Approximation Register Logic)
    In: Journal of Engineering, 2019-06-24, S. 194
    Zeitungsartikel
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    Data on Solid State Electronics Reported by Researchers at Qualcomm (A Coupled-rtwo-based Subharmonic Receiver Front End for 5g E-band Backhaul Links In 28-nm Bulk Cmos)
    In: Journal of Engineering, 2019-03-25, S. 634
    Zeitungsartikel
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