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    Wafer-scale CVD Monolayer WSe2 p-FETs with Record-high 727 μA/μm Ion and 490 μS/ μm gmax via Hybrid Charge Transfer and Molecular Doping
    Lan, Hao-Yu ; Tripathi, Rahul ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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    High Performance CVD Grown Nanolayered PtSe2/SOI Heterostructure for Broadband Photodetection
    Khanikar, Prabal Dweep ; Moudgil, Akshay ; et al.
    In: 2023 IEEE 23rd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2023-07-02, S. 1-5
    Konferenz
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Surface Characterization of Sodium Cholate Treated CVD Graphene
    Addo-Mensah, Evans ; Obaemo, Janet ; et al.
    In: 2023 IEEE 23rd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2023-07-02, S. 400-403
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Few-layered phosphorene synthesis by CVD approach as an anode for sodium-ion battery
    Dehghan, Pooya ; Hoornam, Soraya ; et al.
    In: 2023 5th Iranian International Conference on Microelectronics (IICM), 2023-10-25, S. 216-218
    Konferenz
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Modelling Deposition Uniformity in Microwave Plasma CVD Diamond over 2“ Si wafers
    Cuenca, Jerome A. ; Leigh, William ; et al.
    In: 2022 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2022-11-29, S. 656-658
    Konferenz
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Photoluminescence properties of thin-film SiOxCy deposited by O-Cat CVD technique using MMS and TEOS
    Jain, Manmohan ; Ramos-Serrano, J. R. ; et al.
    In: 2020 17th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE), 2020-11-11, S. 1-6
    Konferenz
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    First Insights into Electro-Thermal Stress Driven Time-Dependent Permanent Degradation Failure of CVD Monolayer MoS2 Channel
    Ansh, Ansh ; Sheoran, Gaurav ; et al.
    In: 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2020-04-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integrated Process Sequence of Epitaxy Silicon Wafer Production Using Plasma-Enhanced CVD
    Hong, Ji-Eun ; Lee, Yonghwan ; et al.
    In: Asia-Pacific Forum on Renewable Energy, Jg. 2023 (2023-11-30), Heft 11, S. 434-434
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    ICP-CVD Silicon-Rich Silicon Nitride for Supercontinuum Generation
    Jayantha, Ayesha ; Andrieux, Aurore ; et al.
    In: 2023 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC), 2023-06-26, S. 1-1
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS2 Channel Directly Grown on SiO $_{{x}}$ /Si Substrates Using Area-Selective CVD Technology
    Chung, Y. ; Lu, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5381-5386
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of substrate roughness on the nucleation and growth behaviour of microwave plasma enhanced CVD diamond films – a case study
    Awadesh Kumar Mallik ; Rouzbahani, Rozita ; et al.
    In: Functional Diamond, Jg. 3 (2023-12-01), Heft 1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in DOAJ (Volltext)
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    academicJournal
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Fluorine Effects Originating From the CVD-W Process on Charge-Trap Flash Memory Cells
    Moon, J. ; Lee, T.Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 378-382
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Preparation of DLC films using microwave plasma CVD in open-air
    Yudate, Shinji ; Motomura, Hideki ; et al.
    In: 2017 International Symposium on Electrical Insulating Materials (ISEIM), Jg. 1 (2017-09-01), S. 43-46
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence and Suppression of Harmful Effects Due to By-Product in CVD Reactor for 4H-SiC Epitaxy
    Daigo, Y. ; Watanabe, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-08-01), Heft 3, S. 340-345
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Reduction of harmful effect due to by-product in CVD reactor for 4H-SiC epitaxy
    Daigo, Yoshiaki ; Watanabe, Toru ; et al.
    In: 2020 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), 2020-12-15, S. 1-4
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CVD graphene-FET based cascode circuits: A design exploration and fabrication towards intrinsic gain enhancement
    Iannazzo, M. ; Alarcon, E. ; et al.
    In: 2016 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2016-09-01, S. 244-247
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    CVD-grown back-gated MoS2 transistors
    Marquez, C. ; Salazar, N. ; et al.
    In: 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2020-09-01, S. 1-4
    Konferenz
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