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    Hochauflösende Rutherford-Streuspektrometrie zur Untersuchung von ZrO2-Schichtwachstum im Anfangsstadium
    Vieluf, Maik
    2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Hochauflösende Rutherford-Streuspektrometrie zur Untersuchung von ZrO2-Schichtwachstum im Anfangsstadium ; Rutherford high resolution scatter spectrometry to investigate ZrO2 layer growth at the initial stage
    Vieluf, Maik ; Möller, Wolfhard ; et al.
    2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A comparison of a batch recycle reactor and an integral reactor with fines for scale-up of an industrial trickle bed reactor from laboratory data
    HICKMAN, Daniel A ; WEIDENBACH, Meinolf ; et al.
    In: From Molecular to Product and Process Engineering, 18th International Symposium on Chemical Reaction Engineering, June 6-9, 2004, Chicago, USA, Jg. 59 (2004), Heft 22-23, S. 5425-5430
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Leakage current and defect characterization of p<superscript>+</superscript>n-source/drain diodes
    Roll, Guntrade ; Goldbach, Matthias ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-12-01), Heft 12, S. 2081-2085
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Leakage current and defect characterization of p+n-source/drain diodes
    Roll, Guntrade ; Goldbach, Matthias ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-12-01), Heft 12, S. 2081-2085
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    P implantation into preamorphized germanium and subsequent annealing: Solid phase epitaxial regrowth, P diffusion, and activation.
    Posselt, M. ; Schmidt, B. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures, Jg. 26 (2008), Heft 1, S. 430-434
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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