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    静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
    俊郎, 秋濃 ; 真, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 101 (2001-11-30), Heft 477, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計:連続可変なトランジスタ幅の組み合せ論理セル
    博宣, 高橋 ; 芳信, 堺 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 100 (2001-03-01), Heft 647, S. 15-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    CMOS集積回路のトランジスタ幅が可変となる標準セル構造の研究
    俊郎, 秋濃
    2012
    unknown
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路における待機時電源切断
    俊郎, 秋濃
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 100 (2000-11-30), Heft 473, S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    基板バイアス印加CMOS回路のエネルギー遅延積最小化スケーリング
    恭弘, 宮浦 ; 俊郎, 秋濃
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 99 (2000-03-03), S. 77-84
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    基板バイアス印加ドミノCMOS回路設計(1)BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション
    芳信, 堺 ; 俊郎, 秋濃
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 99 (2000-03-03), S. 69-76
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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