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    Vertical integrated-gate CMOS for ultra-dense IC
    YIJIAN, CHEN ; CHU, Albert
    In: Proceedings of the 31st International Conference on Micro- and Nano-Engineering: 19-22 September 2005, Vienna, Austria, Jg. 83 (2006), Heft 4-9, S. 1745-1748
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Insights on Design and Scalability of Thin-BOX FD/SOI CMOS
    CHOUKSEY, Siddharth ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2073-2079
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    PECVD formation of ultrathin silicon nitride layers for CMOS technology
    BECK, R. B ; GIEDZ, M ; et al.
    In: The international symposium on ion implantation and other applications of ions and electrons - ION 2002, 10-13 June 2002, Kazimierz Dolny, Poland, Jg. 70 (2003), Heft 2-3, S. 323-329
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A hybrid CMOS-SET co-fabrication platform using nano-grain polysilicon wires
    ECOFFEY, S ; POTT, V ; et al.
    In: Micro and Nano Engineering 2004: Proceedings of the 30th International Conference on Micro and Nano Engineering, September 19-22, Jg. 78-79 (2005), S. 239-243
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact of gate-leakage currents on CMOS circuit performance
    MARRAS, Alessandro ; DE MUNARI, Ilaria ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 45 (2005), Heft 3-4, S. 499-506
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A High-Speed Low-Power Multi-VDD CMOS/SIMOX SRAM With LV-TTL Level Input/Output Pins-Write/Read Assist Techniques for 1-V Operated Memory Cells
    SHIBATA, Nobutaro ; WATANABE, Mayumi ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 45 (2010), Heft 9, S. 1856-1869
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Gate bias effect on the 60-MeV proton irradiation response of 65-nm CMOS nMOSFETs
    SIMOEN, Eddy ; JURCZAK, Malgorzata ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 8, S. 1815-1820
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Extremely scaled silicon nano-CMOS devices
    LELAND, CHANG ; CHOI, Yang-Kyu ; et al.
    In: Nanoelectronics and nasoscale processing, Jg. 91 (2003), Heft 11, S. 1860-1873
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Impact of gate-leakage currents on CMOS circuit performance
    MARRAS, Alessandro ; DE MUNARI, Ilaria ; et al.
    In: 2004 24th internationcal conference on microelectronics (Nis, Serbia and Montenegro, 16-19 May 20), 2004
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nanoscale FD/SOI CMOS: Thick or thin box?
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 1, S. 26-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
    ZANG, H ; LOH, W. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 12, S. 1117-1119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Novel approach to reduce source/drain series and contact resistance in high-performance UTSOI CMOS devices using selective electrodeless CoWP or CoB process
    PAN, James ; TOPOL, Anna ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 691-693
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Physical insights on nanoscale multi-gate CMOS design
    FOSSUM, Jerry G
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 188-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Grain-Orientation Induced Quantum Confinement Variation in FinFETs and Multi-Gate Ultra-Thin Body CMOS Devices and Implications for Digital Design : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    HADI RASOULI, Seid ; ENDO, Kazuhiko ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2282-2292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Extremely scaled ultra-thin-body and finfet CMOS devices
    BALASUBRAMANIAN, Sriram ; CHANG, Leland ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 197-208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Extremely scaled ultra-thin-body and finfet CMOS devices
    BALASUBRAMANIAN, Sdram ; CHANG, Leland ; et al.
    In: ULSI process integration III (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 534-545
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Physics-based compact modeling for nonclassical CMOS
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G ; et al.
    In: ICCAD-2005 (International Conference on Computer Aided Design), 2005, S. 211-216
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A compact QM-based mobility model for nanoscale ultra-thin-body CMOS devices
    TRIVEDI, V. P ; FOSSUM, J. G ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 763-766
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Carrier injection efficiency for the reliability study of 3.5-1.2nm thick gate-oxide CMOS technologies
    BRAVAIX, A ; TRAPES, C ; et al.
    In: 12th workshop on dielectrics in microelectronics (Grenoble, 18-20 November 2002), 2003, S. 105-108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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