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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of the threshold voltage in strained Si /Si1-xGex/Si1-yGey(x≥ y) CMOS architectures
    TSANG, Y. L ; CHATTOPADHYAY, Sanatan ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 11, S. 3040-3048
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Process-variation-and random-dopants-induced threshold voltage fluctuations in nanoscale CMOS and SOI devices
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2117-2120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Forward Body Biasing as a Bulk-Si CMOS Technology Scaling Strategy
    HOKAZONO, Akira ; BALASUBRAMANIAN, Sriram ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 10, S. 2657-2664
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Gate-First Integration of Tunable Work Function Metal Gates of Different Thicknesses Into High-k/Metal Gates CMOS FinFETs for Multi-VTh Engineering
    MUHAMMAD MUSTAFA, HUSSAIN ; SMITH, Casey E ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 3, S. 626-631
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage and bulk inversion effects in nonclassical CMOS devices with undoped ultra-thin bodies
    TRIVEDI, Vishal P ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 170-178
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A minimum total power methodology for projecting limits on CMOS GSI : Special section on low-power electronics and design
    BHAVNAGARWALA, A. J ; AUSTIN, B. L ; et al.
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 8 (2000), Heft 3, S. 235-251
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Control of threshold-voltage and short-channel effects in ultrathin strained-SOI CMOS devices
    NUMATA, Toshinori ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 8, S. 1780-1786
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial Germanium on SOI Substrate and Its Application of Fabricating High ION/IOFF Ratio Ge FinFETs
    CHUNG, Cheng-Ting ; CHEN, Che-Wei ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 1878-1883
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Quantum Threshold Voltage Modeling of Short Channel Quad Gate Silicon Nanowire Transistor
    RAKESH KUMAR, P ; MAHAPATRA, Santanu
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 10 (2011), Heft 1, S. 121-128
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Improved device variability in scaled MOSFETs with deeply retrograde channel profile : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    WOO, Jason ; CHIEN, P. Y ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1090-1095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain and channel engineering for fully depleted SOI MOSFETs towards the 32 nm technology node
    ANDRIEU, F ; WEBER, O ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2047-2053
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Work Function Engineering With Linearly Graded Binary Metal Alloy Gate Electrode for Short-Channel SOI MOSFET
    DEB, Sanjoy ; BASANTA SINGH, N ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 3, S. 472-478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effectiveness of using supply voltage as back-gate bias in ground plane SOI MOSFETs
    KIM, Chris H ; ANANTHAN, Hari ; et al.
    In: 2004 IEEE international SOI conference (Charleston SC, 4-7 October 2004), 2004, S. 69-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; NAGUMO, Tashiharu ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 2 (2003), Heft 4, S. 314-318
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation of novel attributes of single halo dual-material double gate MOSFETs for analog/RF applications
    MOHANKUMAR, N ; SYAMAL, Binit ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1491-1497
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A new model of subthreshold swing for sub-100 nm MOSFETs
    YANG, Lin-An ; YU, Chun-Li ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 48 (2008), Heft 3, S. 342-347
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs
    ERNST, Thomas ; RITZENTHALER, Romain ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 1366-1375
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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