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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strained Si/SiGe channels: A new performance advantage for PD/SOI CMOS
    WEIMIN, ZHANG ; FOSSUM, Jerry G
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 349-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Process-variation-and random-dopants-induced threshold voltage fluctuations in nanoscale CMOS and SOI devices
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2117-2120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation damage in deep submicron partially depleted SOI CMOS
    SIMOEN, E ; RAFI, J. M ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 437-442
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Degradation of deep submicron partially depleted soi CMOS transistors under MeV proton or gamma irradiation
    SIMOEN, E ; RAFF, J. M ; et al.
    In: Microelectronics technology and devices SBMICRO 2003 (Sao Paulo, 8-11 September 2003), 2003, S. 18-27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Adaptive Circuits for the 0.5-V Nanoscale CMOS Era : Circuits and Design Techniques for Advanced Large Scale Integration
    ITOH, Kiyoo ; YAMAOKA, Masanao ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 93 (2010), Heft 3, S. 216-233
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Tunable work function molybdenum gate technology for FDSOI-CMOS
    RANADE, Pushkar ; CHOI, Yang-Kyu ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 363-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    On the Variability in Planar FDSOI Technology: From MOSFETs to SRAM Cells : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    MAZURIER, Jérôme ; WEBER, Olivier ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2326-2336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An Approach Based on Sensitivity Analysis for the Evaluation of Process Variability in Nanoscale MOSFETs : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    BONFIGLIO, Valentina ; IANNACCONE, Giuseppe
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2266-2273
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Threshold voltage and bulk inversion effects in nonclassical CMOS devices with undoped ultra-thin bodies
    TRIVEDI, Vishal P ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 170-178
    academicJournal
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    A compact physical model for yield under gate length and body thickness variations in nanoscale double-gate CMOS
    ANANTHAN, Hari ; ROY, Kaushik
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 9, S. 2151-2159
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    On the great potential of non-doped MOSFETs for analog applications in partially-depleted SOI CMOS process
    KILCHYTSKA, V ; LEVACQ, D ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 708-715
    academicJournal
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    Control of threshold-voltage and short-channel effects in ultrathin strained-SOI CMOS devices
    NUMATA, Toshinori ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 8, S. 1780-1786
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Measurement and analysis of PD-SOI static latches based on bistable-gated-bipolar device
    XU, CHENG ; DUANE, Russell
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 42 (2007), Heft 11, S. 2585-2593
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Threshold-voltage control of AC performance degradation-free FD SOI MOSFET with extremely thin BOX using variable body-factor scheme
    OHTOU, Tetsu ; YOKOYAMA, Kouki ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 2, S. 301-307
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Epitaxial Germanium on SOI Substrate and Its Application of Fabricating High ION/IOFF Ratio Ge FinFETs
    CHUNG, Cheng-Ting ; CHEN, Che-Wei ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 1878-1883
    Online academicJournal
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    DC Compact Model for SOI Tunnel Field-Effect Transistors
    BHUSHAN, Bharat ; NAYAK, Kaushik ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 10, S. 2635-2642
    Online academicJournal
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    High-performance strained Si-on-insulator MOSFETs by novel fabrication processes utilizing Ge-condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; SUGIYAMA, Naoharu ; et al.
    In: 2002 symposium on VLSI technology (Honolulu HI, 11-13 June 2002, digest of technical papers), 2002, S. 96-97
    Konferenz
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    On the prediction of geometry-dependent floating-body effect in SOI MOSFETs
    PIN, SU ; LEE, Wei
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 7, S. 1662-1664
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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