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96 Treffer

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    Antenna-Integrated 0.6 THz FET Direct Detectors Based on CVD Graphene
    ZAK, Audrey ; ANDERSSON, Michael A ; et al.
    In: Nano letters (Print), Jg. 14 (2014), Heft 10, S. 5834-5838
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    W delta doping in Si(1 0 0) using ultraclean low-pressure CVD
    KANAYA, Toshiyuki ; SAKURABA, Masao ; et al.
    In: 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, Marseille, France, July 8-12, 2002 (ICSFS-11), Jg. 212-13 (2003), S. 684-688
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Surface morphology, growth rate and quality of diamond films synthesized in hot filament CVD system under various methane concentrations
    ALI, M ; URGEN, M
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2011), Heft 20, S. 8420-8426
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Work function of impurity-doped polycrystalline Si1-x-yGexCy film deposited by ultraclean low-pressure CVD
    HYUNYOUNG, SHIM ; SAKURABA, Masao ; et al.
    In: 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, Marseille, France, July 8-12, 2002 (ICSFS-11), Jg. 212-13 (2003), S. 209-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Can surface preparation with CVD diamond tip influence on bonding to dental tissues?
    APARECIDO KAWAGUCHI, Femando ; BROSSI BOTTA, Sergio ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 254 (2008), Heft 13, S. 4118-4122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A comparative study of field-emission from different one dimensional carbon nanostructures synthesized via thermal CVD system
    JHA, A ; BANERJEE, D ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 257 (2011), Heft 6, S. 1946-1951
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Three-dimensional predictions of silicon deposition in a barrel type CVD reactor
    YANG, L ; FAROUK, B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 9, S. 2666-2673
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Comparison of tantalum and rhenium filaments in diamond CVD using selective carbon-13 labeling
    MCNAMARA, K. M ; GLEASON, K. K
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 2, S. L22- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Plasma enhanced CVD of tungsten: some kinetic results / Dépôt chimique en phase vapeur de tungstène augmenté par plasma: quelques résultats cinétiques
    WOOD, J
    In: Applied surface science, Jg. 38 (1989), Heft 1-4, S. 397-406
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Flow and reaction simulation of a tungsten CVD reactor / Simulation de l'écoulement et de la réaction d'un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur de tungstène
    ULACIA F., J. I ; HOWELL, S ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 38 (1989), Heft 1-4, S. 370-385
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A mechanism for selectivity loss during tungsten CVD / Mécanisme de la perte de sélectivité lors du dépôt chimique en phase vapeur du tungstène
    CREIGHTON, J. R
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 136 (1989), Heft 1, S. 271-276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A mathematical model of CVD of tungsten on silicon / Modèle mathématique du dépôt chimique en phase vapeur de tungstène sur du silicium
    WOOD, J ; COLLINS, R
    In: Applied surface science, Jg. 38 (1989), Heft 1-4, S. 359-369
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Selective CVD tungsten on silicon implanted SiO2
    HENNESSY, W. A ; GHEZZO, M ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 7, S. 1730-1734
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    On three-dimensional transport phenomena in CVD processes
    RHEE, S ; SZEKELY, J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 10, S. 2552-2559
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low pressure CVD of silicon nitride
    ROENIGK, K. F ; JENSEN, K. F
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 7, S. 1777-1785
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CVD in stagnation point flow: an evaluation of the classical 1D treatment
    HOUTMAN, C ; GRAVES, D. B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 5, S. 961-970
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Evaluation of one-dimensional solutions for CVD reactors
    VRENTAS, J. S ; VRENTAS, C. M
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 12, S. 3167-3169
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effects of small amount of water on physical and electrical properties of TiO2 films deposited by CVD method
    FUYUKI, T ; KOBAYASHI, T ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 1, S. 248-250
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Carbon molecular sieves from PET for separations involving CH4, CO2, O2 and N2
    CARROTT, P. J. M ; CANSADO, I. P. P ; et al.
    In: ICIIEM 2005, 1st international congress of energy and environment engineering and management, Portugal, 18-20 May 2005, Jg. 252 (2006), Heft 17, S. 5948-5952
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Graphene Nucleation Density on Copper: Fundamental Role of Background Pressure
    VLASSIOUK, Ivan ; SMIRNOV, Sergei ; et al.
    In: Journal of physical chemistry. C, Jg. 117 (2013), Heft 37, S. 18919-18926
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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