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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    LPE법으로 제조한 YIG 박막에 대한 강자성공명 연구
    이수형 (S.H. Lee) ; 염태호 (T.H. Yeom) ; et al.
    In: 한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집, Jg. 8 (1998-10-31), Heft 2, S. 92-92
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    단결성 성장을 위한 수직형 LPE 장치의 제작 ( The Development of Vertical Type LPE System for Single Crystal Growth )
    오종환 ; 조호성 ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1989 (1989-01-31), Heft 1, S. 201-204
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    LPE 법에 위한 InGaAsP / InGaP SCH-SQW laser diode 구조의 성장 및 소자 특성 ( Growth and device characteristics of InGaAsP / InGaP SCH-SQW laser diode structures )
    강경인 ; 추안구 ; et al.
    In: 한국통신학회 기타 간행물, Jg. 1995 (1995-01-31), Heft 1, S. 187-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    LPE 법으로 성장된 Hg0.8 Cd0.2 Te / Cd0.94 Zn0.06 Te / Cd0.97 Zn0.03 Te 구조의 특성에 관한 연구
    곽노정 ; 최인훈 ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1994 (1994-01-31), Heft 1, S. 387-387
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    LPE법으로 성장시킨 Hg1-xCdxTe 박막의 성장조건 변화에 따른 특성변화
    오원웅 ; 임승무 ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1994 (1994-01-31), Heft 1, S. 385-385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Cavity Length and Temperature Dependence of the Lasing Characteristics of InGaAsP
    GaAs SCH-SQW Lasers Grown by LPE
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1993 (1993-01-31), Heft 1, S. 47-47
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Cavity Length and Temperature Dependence of the Lasing Characteristics of InGaAsP
    GaAs SCH-SQW Laser Grown by LPE
    In: 한국통신학회 광전자공학 학술회의, Jg. 2 (1993-01-31), Heft 1, S. 47-47
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Lysophosphatidylethanolamine(LPE) 처리가 고추의 착색촉진 및 Ethylene 발생에 미치는 영향
    강충길 (Chung-Kil Kang) ; 김성은 (Sung-Eun Kim) ; et al.
    In: 원예과학기술지, Jg. 18 (2000-09-30), Heft 1, S. 669-669
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    절화 나리 ‘카사블랑카’의 절화수명에 미치는 LPE 전처리전 저장시간
    이정선 (Lee Jeong-Seon) ; 이정식 (Lee Jeong-Sik) ; et al.
    In: 원예과학기술지, Jg. 17 (1999-04-30), Heft 2, S. 197-197
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    절화 나리 ‘카사블랑카’의 절화수명에 미치는 LPE 전처리시 최적농도
    이정선 (Lee Jeong-Seon) ; 이정식 (Lee Jeong-Sik) ; et al.
    In: 원예과학기술지, Jg. 17 (1999-04-30), Heft 2, S. 197-197
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    GaxIn ( 1-x ) As ( 1-y ) Py / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산 ( Phase Diagram Calculation for the LPE of GaxIn ( 1-x ) As ( 1-y ) Py On InP )
    신동혁 ; 유태환 ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1984 (1984-01-31), Heft 1, S. 396-398
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    LPE에 의한 InGaAaP
    InP 1.3μm BH구조 반도체 레이저 제작 및 상온 연속 발전 특성 조사 ( InGaAaP / InP 1.3μm BH LD Fabricated by LPE and CW Operation at Room Temperature )
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1986 (1986-01-31), Heft 1, S. 783-785
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    LPE에 있어서 InP기판의 열손상 상태와 melt back 특성 ( Thermal Damages and Melt Back Characteristics of InP Substrate in the LPE Growth )
    조호성 ; 오종환 ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1989 (1989-01-31), Heft 1, S. 206-208
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    LPE에 의한 InGaAsP
    InP1.3㎛ BH 구조 반도체 레이저 제작 및 상온 연속발진 특성 조사 ( InGaAsP / InP1.3㎛ BH LD Fabricated by LPE and CW Operation at Room Temperature )
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1987 (1987-01-31), Heft 1, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Auger 전자현미경을 이용한 LPE에 의해서 성장된 InGaAsP/InP 이종접합계면에 대한 연구 ( Auger Study of LPE Grown InGaAsP/InP Heterostructure )
    김정호 ; 권오대 ; et al.
    In: 전자공학회논문지, Jg. 25 (1988-12-31), Heft 12, S. 1656-1661
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    LPE에 의한 RWG InGaAsP
    InP MQW-LD 제작 ( The fabrication of RWG-InGaAsP / InP MQW-LD by LPE )
    In: 대한전자공학회 기타 간행물, 1995-01-31, S. 67-67
    report
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    GaxIn(1-x) As(1-y) Py / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산
    (D.H.Shin), 신동혁 ; (T.W.Yoo), 유태환 ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1984 (1984-11-30), Heft 11, S. 396-398
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    LPE에 의한 InGaAsP/InP 1.3 um BH 구조 반도체 레이저 제작및 상온 연속 발진 특성 조사
    유태환 (Tae Whan Yoo) ; 오광룡 (Kwang Ryong Oh) ; et al.
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1986 (1986-12-31), Heft 12, S. 783-785
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Arsenic 증기압 조절에 의한 GaAs 액상 결정 성장 ( LPE Growth of GaAs Under Controlled Arsenic Vapour Pressure )
    김기준 ; 김번중
    In: 대한전자공학회 학술대회, Jg. 1985 (1985-01-31), Heft 1, S. 115-117
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    LPE에 의한 1.3μm GaInAsP/InP DH 레이저의 제작 및 발진특성 ( Lasing Characteristics of 1.3μm GaInAsP/InP DH Laser Grown By LPE )
    신동혁 ; 유태환 ; et al.
    In: 전자공학회지, Jg. 22 (1985-07-31), Heft 4, S. 72-74
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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