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    Design-Stage Hardening of 65-nm CMOS Standard Cells Against Multiple Events.
    Balbekov, Anton O. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1712-1718
    Online academicJournal
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Effects Characterization of LC-VCO PLLs in a 28-nm CMOS Technology.
    Zhang, Zhichao ; Djahanshahi, Hormoz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 2042-2050
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors.
    Zhang, Xiang ; Li, Yudong ; et al.
    In: Journal of Nuclear Science & Technology, Jg. 57 (2020-09-01), Heft 9, S. 1015-1021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process.
    Carbonetto, Sebastian ; Echarri, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1118-1124
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs.
    Balbekov, Anton O. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1914-1919
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    The MONDO Detector Prototype Development and Test: Steps Toward an SPAD-CMOS-Based Integrated Readout (SBAM Sensor).
    Mirabelli, R. ; Gasparini, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 744-751
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Durnez, Clementine ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 92-100
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 84-91
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology.
    Jansen, R. J. E. ; Lindner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2204-2211
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    CMOS Rad-Hard Front-End Electronics for Precise Sensors Measurements.
    Sordo-Ibanez, Samuel ; Pinero-Garcia, Blanca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-15), Heft b4, S. 2379-2389
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Transistor Width Effect on the Power Supply Voltage Dependence of α-SER in CMOS 6T SRAM.
    Torrens, G. ; Alheyasat, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 811-817
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Single-Event Upset Responses of Metal–Oxide–Metal Capacitors and Diodes Used in Bulk 65-nm CMOS Analog Circuits.
    Xu, Rui ; Hsu, Chen-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 698-707
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Time-Dependent Single-Event Effects in CMOS $LC$ -Oscillators.
    Prinzie, Jeffrey ; De Smedt, Valentijn
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 2048-2054
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Pulse Quenching and Charge-Sharing Effects on Heavy-Ion Microbeam Induced ASET in a Full-Custom CMOS OpAmp.
    Fontana, Andres ; Pazos, Sebastian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1473-1482
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Dark Count Rate Degradation in CMOS SPADs Exposed to X-Rays and Neutrons.
    Ratti, Lodovico ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 567-574
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    A novel CMOS image sensor system for quantitative loop-mediated isothermal amplification assays to detect food-borne pathogens.
    Wang, Tiantian ; Kim, Sanghyo ; et al.
    In: Journal of Microbiological Methods, Jg. 133 (2017-02-01), S. 1-7
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Development of the “GP2” Detector: Modification of the PImMS CMOS Sensor for Energy-Resolved Neutron Radiography.
    Pooley, D. E. ; Lee, J. W. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 2970-2981
    Online academicJournal
    Zugriff:
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