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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    High oxygen and carbon contents in GaAs epilayers grown below a critical substrate temperature by molecular beam epitaxy
    Chong, T. C. ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 68 (1996-02-05), S. 841-843
    Online unknown
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  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Distribution of electronic reconstruction at the n-type LaAlO3/SrTiO3 interface revealed by hard x-ray photoemission spectroscopy
    Huang, Di-Jing ; Liao, Y. F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-12-26), S. 262101-262101
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Formation of buried oxide in silicon using separation by plasma implantation of oxygen
    Hu, Chenming ; Liu, Jingbao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-10-16), S. 2361-2363
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Light emission of C60 embedded in porous silicon
    Ren, Zhong-Min ; Liu, Kai-Feng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-08-07), S. 783-785
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Annealing behavior of AlxGa1−xAs:C grown by metalorganic molecular beam epitaxy
    Chu, S. N. G. ; Abernathy, C. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-03-13), S. 1397-1399
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Growth morphology and characteristic structure in nanocrystalline Si film of high conductivity
    He, Y. L. ; Esnouf, Claude ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-02-20), S. 968-970
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Acoustic and optical properties of thallium ion‐exchanged KTiOPO4
    Chu, David K. T.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 65 (1994-10-17), S. 1989-1991
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Ga2O3(Gd2O3) on Ge without interfacial layers: Energy-band parameters and metal oxide semiconductor devices
    Chu, R. L. ; Lin, T. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-05-18), S. 202108-202108
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Synthesis of preferred‐oriented HgBa2CaCu2O6+δthin films
    Huang, Z. J. ; Meng, R. L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 63 (1993-11-29), S. 3084-3086
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Enhancement of electrical activation of ion‐implanted phosphorus in Si(100) through two‐step thermal annealing
    Kirschbaum, C. ; Varahramyan, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 63 (1993-08-23), S. 1125-1127
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Raman scattering analysis of relaxed GexSi1−xalloy layers
    Chu, J. O. ; Mooney, Patricia M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 62 (1993-04-26), S. 2069-2071
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Symmetric self‐electro‐optic effect device array grown by metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum wells
    Park, Suntak ; Mun Seok Jeong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 62 (1993-03-15), S. 1176-1178
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    Joseph Petrus Mannaerts ; Wetzel, R. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 62 (1993-02-15), S. 735-737
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Greatly improved interfacial passivation of in-situ high κ dielectric deposition on freshly grown molecule beam epitaxy Ge epitaxial layer on Ge(100)
    Chu, R. L. ; Lin, T. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-05-19), S. 202102-202102
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Electronic transitions and dielectric functions of relaxor ferroelectric Pb(In1∕2Nb1∕2)O3-Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O3-PbTiO3 single crystals: Temperature dependent spectroscopic study
    Zhu, Jinhui ; Zhang, Xinliang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-03-31), S. 132903-132903
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Inherent optical behavior and structural variation in Na0.5Bi0.5TiO3-6%BaTiO3 revealed by temperature dependent Raman scattering and ultraviolet-visible transmittance
    Xu, Guisheng ; Chu, Junwei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-03-17), S. 111908-111908
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Lasing action induced by femtosecond laser filamentation in ethanol flame for combustion diagnosis
    Li, Helong ; Jing, Chenrui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-03-03), S. 091106-91106
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Temperature dependent near infrared ultraviolet range dielectric functions of nanocrystalline (Na0.5Bi0.5)1−xCex(Ti0.99Fe0.01)O3 films
    Chu, Junwei ; Han, Min ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-01-27), S. 041106-41106
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Temperature dependence of terahertz optical characteristics and carrier transport dynamics in p-type transparent conductive CuCr1−xMgxO2 semiconductor films
    Hu, Z. G. ; Zhu, Zhen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-01-06), S. 012103-12103
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    High energy carbon ions implantation: An attempt to grow diamond inside copper
    Matsuishi, K. ; Zhang, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 61 (1992-11-30), S. 2650-2652
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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