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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Solvent-dependent electrical characteristics and stability of organic thin-film transistors with drop cast bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (3 pages)
    Kim, C.S. ; Lee, S. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 93 (2008), Heft 10, S. 103302-103302
    Online serialPeriodical
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  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Spiral hollow cathode plasma-assisted diamond deposition
    TZENG, Y ; KUNG, P. J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 23, S. 2326-2327
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Undoped and in-situ B doped GeSn epitaxial growth on Ge by atmospheric pressure-chemical vapor deposition
    Bender, Hugo ; Henrik Hartmann Henrichsen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-10-10), S. 152103-152103
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Single-cycle terahertz pulses with >0.2 V/Å field amplitudes via coherent transition radiation
    Goodfellow, John ; Reis, David A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-10-03), S. 141117-141117
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Large-area patterning of a solution-processable organic semiconductor to reduce parasitic leakage and off currents in thin-film transistors (3 pages)
    Dickey, K. C. ; Subramanian, S. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 90 (2007), Heft 24, S. 244103-244103
    Online serialPeriodical
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Asymmetric strain relaxation in patterned SiGe layers: A means to enhance carrier mobilities in Si cap layers (3 pages)
    Buca, D. ; Hollander, B. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 90 (2007), Heft 3, S. 032108-32108
    Online serialPeriodical
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer
    Franquet, A. ; Zaima, Shigeaki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-05-09), S. 192110-192110
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Contact resistivity and Fermi-level pinning in n-type Ge contacts with epitaxial Si-passivation
    Bender, Hugo ; Kittl, Jorge A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-01-03), S. 013504-13504
    Online unknown
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Photoluminescence and microstructure of self-ordered grown SiGe/Si quantum wires
    Hartmann, A. ; Dieker, C. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 67 (1995), Heft 13, S. 1888-1888
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Accurately evaluating Young's modulus of polymers through nanoindentations: A phenomenological correction factor to the Oliver and Pharr procedure (3 pages)
    Tranchida, D. ; Piccarolo, S. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 89 (2006), Heft 17, S. 171905-171905
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Ultrafast time-resolved electron diffraction with megavolt electron beams (3 pages)
    Hastings, J. B. ; Rudakov, F. M. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 89 (2006), Heft 18, S. 184109-184109
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Efficient polymer:polymer bulk heterojunction solar cells (3 pages)
    Koetse, M. M. ; Sweelssen, J. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 88 (2006), Heft 8, S. 083504-83504
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Influence of dislocations in strained Si/relaxed SiGe layers on n^+/p-junctions in a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology (3 pages)
    Eneman, G. ; Simoen, E. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 87 (2005), Heft 19, S. 192112-192112
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Formation of misfit dislocations at the thin strained Si/strain-relaxed buffer interface (3 pages)
    Loo, R. ; Delhougne, R. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 87 (2005), Heft 18, S. 182108-182108
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    On the beneficial impact of tensile-strained silicon substrates on the low-frequency noise of n-channel metal-oxide-semiconductor transistors (3 pages)
    Simoen, E. ; Eneman, G. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 86 (2005), Heft 22, S. 223509-223509
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Athermal germanium migration in strained silicon layers during junction formation with solid-phase epitaxial regrowth (3 pages)
    Vandervorst, W. ; Janssens, T. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 86 (2005), Heft 8, S. 081915-81915
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Low-temperature diffusion of high-concentration phosphorus in silicon, a preferential movement toward the surface (3 pages)
    Duffy, R. ; Venezia, V. C. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 86 (2005), Heft 8, S. 081917-81917
    Online serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Direct patterning of conductive water-soluble polyaniline for thin-film organic electronics (3 pages)
    Lee, K. S. ; Blanchet, G. B. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 86 (2005), Heft 7, S. 074102-74102
    Online serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Investigation of plasma hydrogenation and trapping mechanism for layer transfer (3 pages)
    Chen, P. ; Chu, P. K. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 86 (2005), Heft 3, S. 031904-31904
    Online serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Influence of Si precursor on Ge segregation during ultrathin Si reduced pressure chemical vapor deposition on Ge
    Caymax, Matty ; Loo, Roger ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-12-28), S. 262112-262112
    Online unknown
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