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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    FUKUDA, Kenjiro ; SEKITANI, Tsuyoshi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1448-1450
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Low-Temperature Hybrid CMOS Circuits Based on Chalcogenides and Organic TFTs
    MEJIA, Israel ; SALAS-VILLASENOR, Ana L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1086-1088
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    CMOS-Compatible Vertical-Silicon-Nanowire Gate-All-Around p-Type Tunneling FETs With < 50-mV/decade Subthreshold Swing
    GANDHI, Ramanathan ; ZHIXIAN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1504-1506
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Achieving Low-VT Ni-FUSI CMOS by ultra-thin Dy2O3 capping of hafnium silicate dielectrics
    VELOSO, A ; YU, H. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 980-983
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Color mixing improvement of CMOS image sensor with air-gap-guard ring in deep-submicrometer CMOS technology
    HSU, T. H ; FANG, Y. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 5, S. 301-303
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Millimeter-Wave Passives in 45-nm Digital CMOS
    JINGLIN, SHI ; KAI, KANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1080-1082
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Voltage Ramp Stress for Hot-Carrier Screening of Scaled CMOS Devices
    KERBER, A ; MCMAHON, W ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 749-751
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Miniature CMOS Stacked Spiral-Coupled Directional Coupler With ―67-dB Isolation and ―0.8-dub Insertion Loss
    LE, YE ; YONGAN, ZHENG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 919-921
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Effects of Guard-Ring Structures on the Performance of Silicon Avalanche Photodetectors Fabricated With Standard CMOS Technology
    LEE, Myung-Jae ; RÜCKER, Holger ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 80-82
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Advanced CMOS-MEMS Resonator Platform
    LI, Cheng-Syun ; HOU, Li-Jen ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 272-274
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    A Single-Photon Avalanche Diode in 90-nm CMOS Imaging Technology With 44% Photon Detection Efficiency at 690 nm
    WEBSTER, Eric A. G ; RICHARDSON, Justin A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 694-696
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    A Highly Scalable Interface Fuse for Advanced CMOS Logic Technologies
    YANG, Li-Yu ; HSIEH, Min-Che ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 245-247
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    A High-Performance Single-Photon Avalanche Diode in 130-nm CMOS Imaging Technology
    WEBSTER, Eric A. G ; GRANT, Lindsay A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1589-1591
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Cost-Effective Low Vt Ni-FUSI CMOS on SiON by Means of Al Implant (pMOS) and Yb+P Coimplant (nMOS)
    LAUWERS, A ; VELOSO, A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 34-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    A micromachined CMOS distributed amplifier by CMOS compatible ICP deep-trench technology
    TAO, WANG ; CHEN, Chun-Hao ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 291-293
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    A Dual-Junction Single-Photon Avalanche Diode in 130-nm CMOS Technology
    HENDERSON, Robert K ; WEBSTER, Eric A. G ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 3, S. 429-431
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Application of VRS Methodology for the Statistical Assessment of BTI in MG/HK CMOS Devices
    KERBER, Andreas ; CARTIER, Eduard
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 8, S. 960-962
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Molecular Electronic Transducer-Based Low-Frequency Accelerometer Fabricated With Post-CMOS Compatible Process Using Droplet as Sensing Body
    HAI, HUANG ; MENGBING, LIANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1304-1306
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Zero-Mask Contact Fuse for One-Time-Programmable Memory in Standard CMOS Processes
    MIN, SHI ; JIN, HE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 7, S. 955-957
    Online academicJournal
    Zugriff:
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