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    A poly-framed LDD sub-half-micrometer CMOS technology
    Gunderson, C.D. ; Lin, J.-H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 11 (1990-11-01), S. 529-531
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    Carbon Nanotube Contact Plug on Silicide for CMOS Compatible Interconnect
    Chan, Mansun ; Zhou, Changjian ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2016, S. 1-1
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    A CMOS Structure with high latchup holding voltage
    Bruce, R.H. ; Hu, G.J.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 5 (1984-06-01), S. 211-214
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    A high-performance directly insertable self-aligned ultra-radiation-hard and enhanced isolation field-oxide technology for gigahertz Si-CMOS VLSI
    Steven James Hillenius ; Manchanda, Lalita ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989), S. 17-19
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    CMOS device isolation using the selective-etch-and-refill-with-EPI (SEREPI) process
    Chiang, Shang-Yi ; Kamins, Theodore I.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 6 (1985-12-01), S. 617-619
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Total dose radiation effects on CMOS ring oscillators operating during irradiation
    Shibuya, M. ; Hatano, H.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 4 (1983-12-01), S. 435-437
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    Vertical isolation in shallow n-well CMOS circuits
    Koyanagi, Mitsumasa ; Lewis, A.G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 8 (1987-03-01), S. 107-109
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Failure in CMOS circuits induced by hot carriers in multi-gate transistors
    Seitchik, J.A. ; Niuya, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988-11-01), S. 564-566
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Temperature dependence of latch-up characteristics in LDD CMOS devices
    Yao, C.C. ; Cheung, Robin W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 7 (1986-02-01), S. 92-94
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    A Novel One-Transistor Active Pixel Sensor With Tunable Sensitivity
    Wan, Jing ; Wang, Xue-Jiao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-06-01), S. 927-930
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Experimental Demonstration of AlN Heat Spreaders for the Monolithic Integration of Inline Phase-Change Switches
    Nabil, El-Hinnawy ; Young, Robert M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), S. 610-613
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Normally-Off MOS-HFET on AlGaN/GaN-on-Si(110) Grown by NH3MBE
    Seo, Kwang-Seok ; Jo, Min-Gi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-12-01), S. 1613-1616
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    A Novel Silicon-Embedded Coreless Inductor for High-Frequency Power Management Applications
    Wu, Rongxiang ; Sin, Johnny K. O.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011), S. 60-62
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    High Aspect Ratio Silicon Nanowire for Stiction Immune Gate-All-Around MOSFETs
    Moon, Dong-Il ; Han, Jin-Woo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-08-01), S. 864-866
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Investigation on Self-Heating Effect in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs From Top-Down Approach
    Wang, Yangyuan ; Park, Donggun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), S. 559-561
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Ultrahigh-Speed 0.5 V Supply Voltage $\hbox{In}_{0.7} \hbox{Ga}_{0.3}\hbox{As}$ Quantum-Well Transistors on Silicon Substrate
    Loubychev, Dmitri ; Datta, Suman ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-08-01), S. 685-687
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Experimental determination of self-heating in submicrometer MOS transistors operated in a liquid-helium ambient
    Gutierrez-D, Edmundo A. ; Declerck, Gilbert ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-03-01), S. 152-154
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Subthreshold kinks in fully depleted SOI MOSFET's
    Krishnan, S. ; Cristoloveanu, Sorin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-12-01), S. 542-544
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    SOI/bulk hybrid technology on SIMOX wafers for high performance circuits with good ESD immunity
    Hu, Chenming ; King, J.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995), S. 11-13
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    High-performance inductors on plastic substrate
    Balasubramanian, N. ; Guo, L.H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), S. 619-621
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