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    academicJournal
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    Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High-k-Metal-Gate CMOS Technologies
    Khan, Faraz
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017), Heft 1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in eScholarship (Volltext)
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 935-938
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Volltext Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Optimization of Photodiode Design Through Analysis of Full-Well Capacity and Image Lag in 0.5 μ m CMOS Image Sensors With Vertical Transfer Gates.
    Park, Jae Hyeon ; Suk, Chan Hee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1697-1700
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    academicJournal
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    academicJournal
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor
    Tsutsumi, Masayuki ; Meguro, Tatsuya ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 44 (2022), Heft 1, S. 100-103
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Non-Volatile Nano-Electro-Mechanical Switches and Hybrid Circuits in a 16 nm CMOS Back-End-of-Line Process
    Sikder, Urmita ; Naous, Rawan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 44 (2022), Heft 1, S. 136-139
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors
    Meguro, Tatsuya ; Takeyama, Akinori ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 10, S. 1713-1716
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    A GHz Operating CMOS Compatible ScAlN Based SAW Resonator Used for Surface Acoustic Waves/Spin Waves Coupling
    Zdru, I. ; Nastase, C. ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 9, S. 1551-1554
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Detection of DNA Hybridization Beyond the Debye Screening Length by CMOS Capacitive Sensors
    Lin, Chang-Hung ; Lee, Yuan-Chieh ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 8, S. 1319-1322
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Miniaturized On-Chip Notch Filter With Sharp Selectivity and >35-dB Attenuation in 0.13-μm Bulk CMOS Technology
    Chen, Lisheng ; Zhu, He ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 8, S. 1175-1178
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Phased Array Based on AlScN Piezoelectric Micromachined Ultrasound Transducers Monolithically Integrated on CMOS
    Zamora, I. ; Ledesma, E. ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 7, S. 1113-1116
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    CMOS Ternary Logic With a Biristor Threshold Switch for Low Static Power Consumption
    Han, Joon-Kyu ; Yu, Ji-Man ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 7, S. 1005-1008
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Performance Improvement for Ge FinFET CMOS Inverter With Supercritical Fluid Treatment
    Ruan, Dun-Bao ; Chang-Liao, Kuei-Shu ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 6, S. 838-841
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Abnormal On-Current Degradation Under Non-Conductive Stress in Contact Field Plate Lateral Double-Diffused Metal-Oxide- Semiconductor Transistor With 0.13-μm Bipolar-CMOS-DMOS Technology
    Hung, Wei-Chun ; Tu, Yu-Fa ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 5, S. 769-772
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Accurate Modeling of Cryogenic Temperature Effects in 10-nm Bulk CMOS FinFETs Using the BSIM-CMG Model
    Singh, Sujit K. ; Gupta, Sumreti ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 5, S. 689-692
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Monolithic 3D Integration With Photosensor and CMOS Circuits Using Ion-Cut Layer Transfer
    Han, Hoonhee ; Cho, Hyeon Cheol ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 43 (2022), Heft 3, S. 430-433
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    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
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    academicJournal
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
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    academicJournal
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