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    Back-End-of-Line Compatible Fully Depleted CMOS Inverters Employing Ge p-FETs and α-InGaZnO n-FETs
    Han, Kaizhen ; Wang, Chengkuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), S. 1488-1491
    Online unknown
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    Voltage Transfer Characteristics of CMOS-Like Inverters for Ambipolar SnO Thin-Film Transistors
    Nomura, Kenji ; Zhang, Yong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), S. 52-55
    Online unknown
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    A Novel RF Power Detector Based on Positive and Negative Thermistors Using Standard CMOS Technology
    Li, Jian-Hua ; Liao, Xiaoping
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), S. 1849-1852
    Online unknown
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    Effects of Parasitic Resistance on the Performance of Silicon Avalanche Photodetectors in Standard CMOS Technology.
    Lee, Myung-Jae ; Choi, Woo-Young
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016), Heft 1, S. 60-63
    Online academicJournal
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    Using Schottky Barrier Diode to Improve Latch-Up Immunity for CMOS ICs Operating With Negative Voltage Sources
    Chang, Rong-Kun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE electron device letters, Jg. 42 (2021), Heft 3, S. 395-397
    Online serialPeriodical
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    Defect Passivation and Reliability Enhancement by Low-Temperature-High-Pressure Hydrogenation in LDMOS With 0.13-μm Bipolar-CMOS-DMOS Technology
    Hung, Wei-Chieh ; Hung, Wei-Chun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-05-01), S. 789-792
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    CMOS Compatible Low Power Consumption Ferroelectric Synapse for Neuromorphic Computing
    Li, Zhenhai ; Meng, Jialin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-03-01), S. 532-535
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Wideband Bandpass Filter for 5G Millimeter- Wave Application in 45-nm CMOS Silicon-on-Insulator
    Rebeiz, Gabriel M. ; Gao, Li
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-08-01), S. 1244-1247
    Online unknown
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    A Low Impedance CMOS-MEMS Capacitive Resonator Based on Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitor Structure
    Li, Sheng-Shian ; Chen, Hung-Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-07-01), S. 1045-1048
    Online unknown
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    Highly Sensitive DNA Detection Beyond the Debye Screening Length Using CMOS Field Effect Transistors
    Chen, Yi-Wei ; Michael S.-C. Lu
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-08-01), S. 1220-1223
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    All-Silicon Microdisplay Using Efficient Hot-Carrier Electroluminescence in Standard 0.18μm CMOS Technology
    Luo, Qian ; Xu, Kaikai ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-04-01), S. 541-544
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Inherent Stochastic Learning in CMOS-Integrated HfO<subscript>2</subscript> Arrays for Neuromorphic Computing
    Wenger, C. ; Zahari, F. ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 4, S. 639-642
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Fully-CMOS Multi-Level Embedded Non-Volatile Memory Devices With Reliable Long-Term Retention for Efficient Storage of Neural Network Weights
    Ma, Siming ; Donato, Marco ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 9, S. 1403-1406
    Online serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    A Novel High Photon Detection Efficiency Silicon Photomultiplier With Shallow Junction in 0.35 <inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math></inline-formula>m CMOS
    D'Ascenzo, Nicola ; Antonecchia, Emanuele ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 9, S. 1471-1474
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    A CMOS Compatible Bulk FinFET-Based Ultra Low Energy Leaky Integrate and Fire Neuron for Spiking Neural Networks
    Chatterjee, Dibyendu ; Kottantharayil, Anil
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 8, S. 1301-1304
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    High-Temperature Recessed Channel SiC CMOS Inverters and Ring Oscillators
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 5, S. 670-673
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