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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Inductive Micro Tri-Axial Tactile Sensor Using a CMOS Chip With a Coil Array
    Yeh, Sheng-Kai ; Fang, Weileun
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 4, S. 620-623
    Online serialPeriodical
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  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Inherent Stochastic Learning in CMOS-Integrated HfO<subscript>2</subscript> Arrays for Neuromorphic Computing
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 4, S. 639-642
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Cryogenic Characterization of 22-nm FDSOI CMOS Technology for Quantum Computing ICs
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 127-130
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    AC Device Variability in High-<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa$ </tex-math></inline-formula> Metal-Gate CMOS Technology
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 13-16
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Cryogenic Characterization of 22-nm FDSOI CMOS Technology for Quantum Computing ICs
    Bonen, S. ; Alakusu, U. ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 127-130
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    AC Device Variability in High-<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa$ </tex-math></inline-formula> Metal-Gate CMOS Technology
    Jenkins, Keith A. ; Balakrishnan, Karthik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 13-16
    Online serialPeriodical
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Non-Volatile Wideband Frequency Tuning of a Ring-Oscillator by Charge Trapping in High-k Gate Dielectric in 22nm CMOS
    Iyer, Subramanian S. ; Nouri, Sepideh
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 110-113
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Demonstration of CMOS Integration With High-Voltage Double-Implanted MOS in 4H-SiC
    Huang, Chih-Fang ; Hung, Jia-Ching ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 78-81
    Online unknown
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Non-Volatile Nano-Electro-Mechanical Switches and Hybrid Circuits in a 16 nm CMOS Back-End-of-Line Process
    Sikder, Urmita ; Naous, Rawan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), S. 136-139
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor
    Tsutsumi, Masayuki ; Meguro, Tatsuya ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023), S. 100-103
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    A Back-Illuminated 4 μ m P⁺N-Well Single Photon Avalanche Diode Pixel Array With 0.36Hz/ μ m² Dark Count Rate at 2.5 V Excess Bias Voltage.
    Sun, Wenbo ; Wang, Yuxin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-09-01), Heft 9, S. 1519-1522
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    High Responsivity Ge Phototransistor in Commercial CMOS Si-Photonics Platform for Monolithic Optoelectronic Receivers
    Cressler, John D. ; Frounchi, Milad ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), S. 196-199
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Balanced Drive and Sense CMOS Thermal Piezoresistive Resonators and Oscillators
    Zope, Anurag A. ; Li, Sheng-Shian
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-02-01), S. 232-235
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Impact of Stress Mode on Stochastic BTI in Scaled MG/HK CMOS Devices
    KERBER, Andreas ; SRINIVASAN, Purushothaman
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 4, S. 431-433
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    A Broadband Model Over 1―220 GHz for GSG Pad Structures in RF CMOS
    JUN, LIU ; ZHIPING, YU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 7, S. 696-698
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    CMOS-Integrated Low-Noise Junction Field-Effect Transistors for Bioelectronic Applications
    Fleischer, Daniel A. ; Shekar, Siddharth ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 931-934
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Long Exposure Time Noise in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao
    In: IEEE electron device letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 979-982
    Online serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Device Modeling of MgO-Barrier Tunneling Magnetoresistors for Hybrid Spintronic-CMOS
    Zuo, Siming ; Nazarpour, Kianoush ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 39 (2018), Heft 11, S. 1784-1787
    Online serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Simultaneous Imaging and Energy Harvesting in CMOS Image Sensor Pixels
    Park, S. Y. ; Lee, K. ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 39 (2018), Heft 4, S. 532-535
    Online serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    A Harmonic Radar Tag With High Detection Range Utilizing Ge FinFETs CMOS Technology
    Hsieh, Cheng-Hung ; Hong, Tzu-Chieh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), S. 1798-1801
    Online unknown
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