Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
29 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

29 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Comparison of Hot Carrier-Induced RF Performance Degradation in H-Gate and T-Gate SOT MOSFETs.
    Lee, Byung-Jin ; Park, Jang-Woo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-02-01), Heft 2, S. 112-114
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    InP-HEMT X-band Low-Noise Amplifier With Ultralow 0.6-mW Power Consumption
    Benedickter, H. ; Liu, Liang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), S. 209-211
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Very high gain millimeter-wave InAlAs/InGaAs/GaAs metamorphic HEMT's
    Chao, P.C. ; Dugas, D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 20 (1999-11-01), S. 551-553
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Temperature and substrate-impedance dependence of noise figure of monolithic RF inductors on silicon
    LIN, Yo-Sheng
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 6, S. 397-400
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Comparison of hot carrier-induced RF performance degradation in H-gate and T-gate SOI MOSFETs
    LEE, Byung-Jin ; PARK, Jang-Woo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 2, S. 112-114
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    High-Performance 90-nm Dual-Gate nMOSFETs With Field-Plate Technology.
    Fu, Jeffrey S. ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), Heft 3, S. 291-293
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Improved Linearity for Low-Noise Applications in 0.25-μm GaN MISHEMTs Using ALD Al2O3 as Gate Dielectric.
    Liu, Z. H. ; Ng, G. I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-08-01), Heft 8, S. 803-805
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Temperature-dependence of noise figure of monolithic RF transformers on a thin (20 /spl mu/m) silicon substrate
    Lin, Yo-Sheng ; Wang, Tao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-03-01), S. 208-211
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Whole-ingot annealed semi-insulating GaAs substrates for low-noise microwave amplifiers
    Kanber, H. ; Wang, D.C.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 8 (1987-06-01), S. 263-265
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -