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    A Memristor Emulation in 180-nm CMOS Process for Spiking Signal Generation and Chaos Application
    Kumar, P. ; Ranjan, R.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1757-1770
    Online academicJournal
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    Reconfigurable 2.4/5.0-GHz Dual-Band CMOS Power Amplifier for WLAN 802.11ax
    Liu, B. ; Zhou, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-07-01), Heft 7, S. 3120-3133
    Online academicJournal
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    A High Sensitivity CMOS Rectifier for 5G mm-Wave Energy Harvesting
    Shaulov, E. ; Elazar, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-07-01), Heft 7, S. 3041-3049
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Compact Sub-nW/kHz Relaxation Oscillator Using a Negative-Offset Comparator With Chopping and Piecewise Charge-Acceleration in 28-nm CMOS
    Liu, Y. ; Zhu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 515-525
    Online academicJournal
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    A 50Gb/s CMOS Optical Receiver With Si-Photonics PD for High-Speed Low-Latency Chiplet I/O
    Chen, S. ; You, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 4271-4282
    Online academicJournal
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    A 2.85-mm2 Wideband RF Transceiver in 40-nm CMOS for IoT Micro-Hub Applications
    Wang, D. ; Liu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3930-3943
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Fully Integrated Stimulator With High Stimulation Voltage Compliance Using Dynamic Bulk Biasing Technique in a Bulk CMOS Technology
    Zhou, Y. ; Wang, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2525-2537
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Cryogenic CMOS for Quantum Processing: 5-nm FinFET-Based SRAM Arrays at 10 K
    Parihar, S.S. ; van Santen, V.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 3089-3102
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A 0.35mm2 94.25μ W Fully Integrated NFC Tag IC Using 0.13μ m CMOS Process
    Wang, D. ; Li, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2612-2622
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.5–2.5 GHz Mixer First Receiver With 200 MHz RF Bandwidth and +18.5 dBm OB-IIP3 in 180 nm CMOS for 5G NR Band
    Kumari, A. ; Bhatt, D.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2576-2589
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 130nm CMOS Programmable Analog Standard Cell Library
    Hasler, J. ; Ayyappan, P.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2497-2510
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    D-Band On-Chip Couplers With Multilayered Slow-Wave Unit Cell in Standard CMOS Process
    Hu, S. ; Shi, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 3781-3789
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Exploration of Ternary Logic Using T-CMOS for Circuit-Level Design
    Ko, J. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 3612-3624
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 20 nW +0.8°C/-0.8°C Inaccuracy (3σ) Leakage-Based CMOS Temperature Sensor With Supply Sensitivity of 0.9°C/V
    Li, J. ; Yao, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 3142-3153
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Clock Period-Jitter Measurement With Low-Noise Runtime Calibration for Chips in FinFET CMOS
    Wang, J. ; Chou, P.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-07-01), Heft 7, S. 3157-3164
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 43.9 μs IRS Controller SoC With Grid-Based Phase-Shift Optimization in 28 nm CMOS Technology for Next- Generation Communication
    Moon, S. ; Lee, Y.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-07-01), Heft 7, S. 3401-3412
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    A Reinforcement-Learning-Assisted Power Amplifier for RF Fingerprint Generation in 65 nm CMOS
    Xu, J. ; Shen, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-07-01), Heft 7, S. 3050-3063
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling of CMOS Integrated Strain Sensors and Sensitivity Enhanced Readout Architecture
    Allinger, K. ; Bahr, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 583-594
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 0.0058-mm2 Inductor-Less CMOS Active Balun With Gain and Phase Errors Within −0.1 ± 0.2 dB and −0.18 ± 1.17° From DC to 8 GHz
    Kawahara, K. ; Umeda, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 2317-2330
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 10-bit 563-fs Step Constant-Slope Digital-to-Time Converter in 40-nm CMOS With Nonlinearity Cancellation and Range Extension Techniques
    Liu, Y. ; Gao, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 526-536
    Online academicJournal
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