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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    A novel technique for fabrication of fully depleted CMOS devices in ultra-thin SOI films
    Karulkar, P.C.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-11-01), Heft 11, S. 2622
    Online serialPeriodical
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    VB-3 polycrystalline silicon devices for large-area NMOS and CMOS logic applications
    Hawkins, W.G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 32 (1985-11-01), Heft 11, S. 2548-2548
    Online serialPeriodical
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    IVB-8 CMOS devices in ZMR-Si on quartz substrate
    Tomita, H. ; Kojima, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 33 (1986-11-01), Heft 11, S. 1856-1856
    Online serialPeriodical
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    A High 6318-PPI Pixel Circuit That Realizes 10-bit Gray Levels for Analog-PWM Driven Micro-LED Displays
    Cheng, Shih-Song ; Chao, Paul C. P.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1122-1130
    Online serialPeriodical
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  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Asymmetric Early Leakage Failure in Bi-Directional SCR ESD Protection Device in BCD Technology
    Yang, Ting ; Zeng, Jie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 7, S. 4050-4057
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Dynamic Time-Domain Sensing Scheme for Spin-Orbit Torque MRAM
    Li, Nan ; Liu, Xianping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 7, S. 4125-4131
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    Utilizing Dual-Port FeFETs for Energy-Efficient Binary Neural Network Inference Accelerators
    Rafiq, Musaib ; Chatterjee, Swetaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 7, S. 4381-4388
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Multiple-Gate FET Quantum Dot Behavior and a Proximity Charge Sensing Model
    Sharma, Deepesh ; Kumar Singh, Sujit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 6, S. 3970-3976
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    A Neural Network Modeling Method With Low-Rate Sampling for Wide Temperature Range SiC MOSFETs Application
    Yang, Wenhao ; Qi, Mengnan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 6, S. 3510-3517
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    High-Voltage ESD Protection Devices With High Robustness of 13 kV and Strong Radiation Tolerance up to 200 krad(Si)
    Duan, Yachi ; Li, Xiaojing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 6, S. 3518-3524
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    Understanding HZO Thickness Scaling in Si FeFETs: Low Operating Voltage, Fast Wake-Up, and Suppressed Charge Trapping
    Cai, Zuocheng ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 6, S. 3633-3639
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Multichannel Two-Dimensional MoS₂ Nanosheet MOSFET for Future Technology Node
    Rawat, Akhilesh ; Rawat, Brajesh
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 6, S. 3945-3951
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Design and High-Frequency Characterization of a Wafer-Scale Vertical Bridge Structure Nanoscale Vacuum Electronic Device
    Huang, Ruihan ; Chen, Feiliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 3221-3227
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Monolithic Integration of 80-GHz Ge Photodetectors and 100-GHz Ge Electro-Absorption Modulators in a Photonic BiCMOS Technology
    Steckler, Daniel ; Lischke, Stefan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 3417-3423
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    Programming Characteristics of Electrochemical Random Access Memory (ECRAM)—Part I: Experimental Study
    Porzani, M. ; Ricci, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 3240-3245
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Monolithic 3-D Integration of Counteractive Coupling IGZO/CNT Hybrid 2T0C DRAM and Analog RRAM-Based Computing-In-Memory
    Su, Yanbo ; Shi, Mingcheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 3336-3342
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Comprehensive Analysis of Sheet Thickness Scaling on the Performance of Nanosheet nFETs
    Kaur, Ramandeep ; Mohapatra, Nihar R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 2856-2862
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Monolithic 3-D Self-Aligned Heterogeneous Nanosheet Channel Complementary FETs With Matched VT by Band Alignments of Individual Channels
    Hsieh, Wan-Hsuan ; Tu, Chien-Te ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 3383-3389
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Analytical Release Voltage Model of Monolithic 3-D Integrated Nanoelectromechanical Memory Switches
    Lee, Jin Wook ; Park, Geun Tae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 5, S. 3150-3155
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Operating Temperature Dependency of Power Generation Capacity in Silicon Planar-Integrated Microthermoelectric Generators
    Hoshina, Takumi ; Tomita, Motohiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 4, S. 2624-2630
    Online serialPeriodical
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