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    Stress Engineering During the Fabrication of InGaN/GaN Vertical Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum Confined Stark Effect
    Allsopp, Duncan W. E. ; Ki, Paulo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), S. 4796-4801
    Online unknown
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    Effect of doping on the reliability of GaAs multiple quantum well avalanche photodiodes.
    Yun, Ilgu ; Menkara, Hicham M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-04-01), Heft 4, S. 535-544
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    GaN-Based UV Light-Emitting Diodes With a Green Indicator Through Selective-Area Photon Recycling
    Chang, Chih-Chiang ; Chen, Fu-Bang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), S. 1122-1127
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Novel GaAs/AlGaAs multiquantum-well Schottky-junction device and its photovoltaic LWIR detection
    Wu, Chan Shin ; Wen, Cheng P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-02-01), Heft 2, S. 234-241
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Analysis of the Thickness Effect of Undoped Electron-Blocking Layer in Ultraviolet LEDs
    Wang, Tzu-Yu ; Wuu, Dong-Sing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), S. 3790-3795
    Online unknown
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    Electrical Polarization Effects on the Optical Polarization Properties of AlGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    Chang, Yi-An ; Li, Shan-Rong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), S. 3233-3238
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    Improved Quantum Efficiency in Semipolar $(1\bar{1}01)$ InGaN/GaN Quantum Wells Grown on GaN Prepared by Lateral Epitaxial Overgrowth
    Chen, Zhong ; Gao, Yulin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), S. 3753-3759
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Extraction of Location and Energy Level of the Trap Causing Random Telegraph Noise at Reverse-Biased Region in GaN-Based Light-Emitting Diodes
    Kang, Donghoon ; Shin, Hyungcheol ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), S. 3495-3502
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    High-Power and High-Efficiency InGaN-Based Light Emitters
    Baur, J. ; Peter, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010), S. 79-87
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Modeling of multiple-quantum-well solar cells including capture, escape, and recombination of photoexcited carriers in quantum wells
    Khoie, R. ; Ramey, S.M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-05-01), S. 1179-1188
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    1.3-μm n-type modulation-doped AlGaInAs/AlGaInAs strain-compensated multiple-quantum-well laser diodes
    Wu, Meng-Chyi ; Laih, Lih-Wen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-07-01), S. 1129-1135
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Tunable photodetectors based on strain compensated GaInAsSb/AlAsSb multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy
    Shi, Yan ; Jian Hui Zhao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997), S. 2167-2173
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Si and Zn co-doped InGaN-GaN white light-emitting diodes
    Hsu, Y.P. ; Su, Yan-Kuin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-02-01), S. 519-521
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Novel GaAs/AlGaAs multiquantum-well Schottky-junction device and its photovoltaic LWIR detection
    Flesner, L.D. ; Pham, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992), S. 234-241
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    High performance single and multiple quantum well InGaAs/InP lasers
    Tanbun-Ek, T. ; Temkin, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-11-01), Heft 11, S. 2606
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Efficient Carrier Transport for AlGaN-Based Deep-UV LEDs With Graded Superlattice p-AlGaN
    Ramit Kumar Mondal ; Pal, Suchandan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), S. 1674-1679
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    Influences of Microhole Depth and SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes
    Wang, Zih-Fong ; Liu, Wen-Chau
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), S. 4211-4215
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Impedance Elements of Significant Junctions in InGaN Light-Emitting Diodes Studied by Electric Modulus Spectroscopy
    Lin, Pei-Te ; Riza Ariyani Nur Khasanah ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), S. 3393-3398
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    Dynamic characteristics of photonic gate with multiple-quantum-well reflection modulator and heterojunction phototransistor
    Kurokawa, T. ; Shinji, Matsuo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991), S. 2706-2707
    Online unknown
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