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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Wang, Jialei ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 913-920
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 573-580
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors
    Gorchichko, Mariia ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 687-696
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Wang, Jialei ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 913-920
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors
    Gorchichko, Mariia ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 687-696
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 573-580
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 573-580
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Wang, Jialei ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 913-920
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Displacement Damage Characterization of CMOS Single-Photon Avalanche Diodes: Alpha-Particle and Fast-Neutron Measurements
    Malherbe, Victor ; De Paoli, Serge ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 777-784
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors
    Gorchichko, Mariia ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 687-696
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X- γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 3, S. 379-383
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X- γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 3, S. 379-383
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X- γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 3, S. 379-383
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Single-Event Effects Characterization of LC -VCO PLLs in a 28-nm CMOS Technology
    Zhang, Zhichao ; Djahanshahi, Hormoz ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 9, S. 2042-2050
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 7, S. 1284-1292
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 8, S. 1835-1845
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 8, S. 1835-1845
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 8, S. 1861-1868
    Online serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 7, S. 1241-1250
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 67 (2020), Heft 7, S. 1256-1262
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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