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  1. Detailansicht für Treffer 81 öffnen
    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  2. Detailansicht für Treffer 82 öffnen
    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 83 öffnen
    Radiation-Induced Leakage Current and Electric Field Enhancement in CMOS Image Sensor Sense Node Floating Diffusions
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 3, S. 616-624
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 84 öffnen
    Radiation-Induced Leakage Current and Electric Field Enhancement in CMOS Image Sensor Sense Node Floating Diffusions
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 3, S. 616-624
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 85 öffnen
    Dark Count Rate Degradation in CMOS SPADs Exposed to X-Rays and Neutrons
    Ratti, Lodovico ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 2, S. 567-574
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 86 öffnen
    Dose and Single-Event Effects on a Color CMOS Camera for Space Exploration
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 104-110
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 87 öffnen
    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18-<inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math></inline-formula>m CMOS Technology
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 282-289
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 88 öffnen
    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 89 öffnen
    Design-Stage Hardening of 65-nm CMOS Standard Cells Against Multiple Events
    Gorbunov, Maxim S. ; Galimov, Artur M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1712-1718
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 90 öffnen
    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
    Han, Zhengsheng ; Zhang, Junjun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1660-1667
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 91 öffnen
    A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 92 öffnen
    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 93 öffnen
    Displacement Damage Characterization of CMOS Single-Photon Avalanche Diodes: Alpha-Particle and Fast-Neutron Measurements
    Malherbe, Victor ; Serge De Paoli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 777-784
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 94 öffnen
    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Leroux, Paul ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 913-920
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 95 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors
    Mele, F. ; Bertuccio, Giuseppe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), S. 379-383
    Online unknown
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 96 öffnen
    Hardening Approach to Use CMOS Image Sensors for Fusion by Inertial Confinement Diagnostics.
    Paillet, P. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4349-4355
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 97 öffnen
    CMOS Rad-Hard Front-End Electronics for Precise Sensors Measurements : 2015 Conference on Radiation and It's Effects on Components and Systems (RADECS)
    Sordo-Ibáñez, S. ; Piñero-García, B. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 63 (2016), Heft 4, S. 2379-2389
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 98 öffnen
    Dark Current Spectroscopy on Alpha Irradiated Pinned Photodiode CMOS Image Sensors : 2015 Conference on Radiation and It's Effects on Components and Systems (RADECS)
    Belloir, J. M. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 63 (2016), Heft 4, S. 2183-2192
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 99 öffnen
    A 2D Proof of Principle Towards a 3D Digital SiPM in HV CMOS With Low Output Capacitance : 2015 Conference on Radiation and It's Effects on Components and Systems (RADECS)
    Nolet, F. ; Rhéaume, V. P. ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 63 (2016), Heft 4, S. 2293-2299
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 100 öffnen
    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 65 (2018), Heft 8, S. 1908-1913
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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