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    TEM Moiré pattern and scanning Auger electron miscroscope analysis of anomalous Si incorporation into MBE-grown Ge on Si(111)
    SUGII, K ; ISHIZAWA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 10, S. 3296-3300
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Strain relaxation in MBE-grown Si1-x/Si(100) heterostructures by annealing
    YAGUCHI, H ; FUJITA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 8B, S. L1450- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Numerical simulation of backgating suppression in high electron mobility transistors (HEMTs) with a low temperature molecular beam epitaxy (MBE)-grown gallium arsenide buffer layer between the substrate and active layers
    LENG SEOW, TAN ; WAI SHING, LAU ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 6B, S. L826- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Fabrication and properties of MgO/Bi2Sr2CaCu2Ox interfaces using crystalline and amorphous MgO films grown by the MBE method
    YAMANO, K ; SHIMAOKA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 6A, S. 1765-1770
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    600 nm-Range GaInP/AlInP multi-quantum-well (MQW) lasers grown on misorientation substrates by gas source molecular beam epitaxy (GS-MBE)
    KIKUCHI, A ; KISHINO, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 12B, S. 3865-3872
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Substrate misorientation effect on be transport during MBE growth of GaAs
    MOCHIZUKI, K ; GOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. 1235-1239
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Application of modern control theory to temperature control of the MBE system
    ISHIKAWA, T ; YUEN CHUEN, CHAN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 3, S. 613-620
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Initial stages of GaAs MBE growth on Si(111)(√3×√3)-Ga surfaces
    MAEHASHI, K ; HASEGAWA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 1, S. L13- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
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    academicJournal
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Improved electron mobility of two-dimensional electron gas formed area-selectively in GaAs/AlGaAs heterostructure by focused Si ion beam implantation and MBE overgrowth
    KAWANO, A ; ARIMOTO, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 1, S. L71- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Dependence of the Carrier concentration profile at the Si MBE layer/p-Si substrate interface on the Si substrate preparation method
    KANAYA, H ; SHIGEKAWA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 2, S. L195- (3S.)
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during Si MBE growth on HF-treated Si(111) surface
    KUMAGAI, Y ; MATSUMOTO, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 8A, S. L1103- (3S.)
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Surface sulfurization on MBE-grown Cu(In~1~-~x,Ga~x)Se~2 thin films and devices
    Khatri, Ishwor ; Matsuyama, Isamu ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 54 (2015), Heft 8, S. 08KC10
    serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Compensation mechanism in heavily Si-doped GaAs grown by MBE
    VEMATSU, M ; MAEZAWA, K
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 4, S. L527- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    SiGe passivation for Si MBE regrowth
    NIINO, T ; TATSUMI, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 9, S. L1702- (3S.)
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Preferential PtSi formation in thermal reaction between Pt and Si0.8Ge0.2 MBE layers
    KANAYA, H ; CHO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 6, S. L850- (3S.)
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Influence of substrate misorientation of surface morphology of Be-doped GaAs grown by MBE
    MOCHIZUKI, K ; GOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. L1046- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    A study of cold dopant sources for gas source MBE : the use of disilane as an N-type dopant of AlxGa1-xAs (x = 0-0.28) and trimethylgallium as a P-type dopant of GaAs
    SANDHU, A ; FUJII, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. L1033- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    MBE growth method for pyramid-shaped GaAs micro crystals on ZnSe(001) surface using Ga droplets
    CHIKYOW, T ; KOGUCHI, N
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 11, S. L2093- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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